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化学气相淀积与无机新材料Chemical Vapor Deposition （CVD） Inorganic New Materials ; 大家来回答：1。在我们这个以高技术为特色新时代 什么是“高技术”的典型代表？2。这类高技术的核心是什么？3。 制备这些新材料与高技术器件的关键  技术是什么？;;氯硅烷氢还原法：SiHCl3 + H2 = Si+3HCl 硅烷热解法：SiH4 → Si ＋ H2（1970－71）;气相外延法制备GaN单晶薄膜与发光器件（中科院吉林物理所与中国科大合作项目,1976）; 化学气相淀积（CVD）:概念及其基本特点; CVD 与 新材料; CVD 与高新技术; 中国科技大学国体化学与无机膜研究所 研制经历（研究课题）;CVD学科领域的形成与成长 －20世纪70－80年代;化学气相淀积的一般化学原理和和技术;CVD的化学反应体系 － 热解反应;CVD的化学反应体系-热解反应（续）;2。1 CVD的化学反应体系－热解反应续）; CVD反应体系－化学合成反应;化学合成反应示例_同一材料有多种合成路线; CVD反应体系－化学输运反应;薄膜生长;气相外延砷化镓单晶薄膜;MOCVD Growth;;;;Low-Pressure CVD System;Plasma-Enhanced CVD;ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance);MBE Growth;(a) phosphoric anhydride, (b) sodium hydrate particle, (c) ball valve, (d) flowmeter, (e) spongy titanium, (f) aluminum chloride (purity 98%), (g) ribbon heater, (h) MoSi2 heater, (i) thermocouple, (j) quartz tube reactor, (k) pressure gauge, (l) vacuum pump, (m) powder collection flask, (n) NaOH solution.;图6-3. 燃烧AACVD装置图;pump;Fig. 3. Schematic illustration of the Single mixed source MOCVD apparatus. ;PECVD (plasma enhanced CVD);LPCVD (low pressure CVD);APCVD (Atmospheric pressure CVD);HC-PCVD化学气相沉积系统;EA-CVD化学气相沉积系统;磁控与离子束复合溅射系统;MW-PCVD化学气相沉积系统;2. The MOVD growth system ;EA-CVD化学气相沉积系统;实验室CVD设备（1）;实验室CVD设备（2）;实验室CVD设备（3）;实验室CVD设备（4）; CVD学科与技术;孟广耀编著：化学气相淀积与无机新材料 科学出版社， 北京 1984（1986）; 本实验室研究基础和技术性积累;★所涉及的材料体系：III-V族化合物半导体（GaN，AlN）、非晶硅、金刚石、气敏半导体、高温超导体、透氢钯合金膜、氧化物质子导电膜、氧离子传输导电膜、燃料电池部件材料、无机分离膜材料 ? 发表CVD方面的研究论文超过80篇，专著1，申报专利3件 ? 以CVD为研究课题的研究生约25名，其中博士学位10人 ? 研究生课程：CVD化学与薄膜工艺，20余年， 500 人 ★与本申请项目直接相关的知识及技术性积累还包括： 等离子体辅助的CVD技术（RF-CVD，微波PCVD，WM-MOCVD) 发展了以金属b-二酮螯合物为前驱物的MOCVD技术，成功制备YBCO超导薄膜，率先申报了专利（专0已授权） 发展了单一固体混合源MOCVD技术(专4，已授权） 发展了气溶胶辅助的CVD 和MOCVD技术(申请1） 自行合成了十多种金属b－二酮螯合物，作为MOCVD前驱物;技术性创新的主要方向：;CVD领域的技术创新、应用 －20世纪80－90年代;R=R’=C(CH3)3 2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮 简称DPM;搅拌， 反应3-4 h;M(DPM)n的表征;Ce(DPM)4, Gd(DPM)3, Y(DPM)3 and Zr(DPM)4 (DPM=2,2,6,6-tetram