课件chap1 硅的晶体结构.pptVIP

整型 两端去除 径向研磨 定位面研磨 晶面定向与晶面标识 由于晶体具有各向异性，不同的晶向，物理化学性质都不一样，必须按一定的晶向（或解理面）进行切割，如双极器件：{111}面； MOS器件：{100}面。8 inch 以下硅片需要沿晶锭轴向磨出平边来指示晶向和导电类型。 1．主参考面（主定位面，主标志面） 作为器件与晶体取向关系的参考； 作为机械设备自动加工定位的参考； 作为硅片装架的接触位置； 2. 次参考面（次定位面，次标志面） 识别晶向和导电类型 8 inch 以下硅片 8 inch 以上硅片 切片、磨片、抛光 1．切片 将已整形、定向的单晶用切割的方法加工成符合一定要求的单晶薄片。切片基本决定了晶片的晶向、厚度、平行度、翘度，切片损耗占1/3。 2.磨片 目的： ? 去除刀痕与凹凸不平； ???改善平整度； 使硅片厚度一致； 磨料： ??? 要求：其硬度大于硅片硬度。 种类：Al2O3、SiC、ZrO、SiO2、MgO等 3.抛光 目的：进一步消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无损层的“理想”表面。 方法：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光 Chap0,Chap1 1.晶片制备分几个步骤？ 2.微电子器件工艺的发展历史大致分为哪三个阶段？ 3.集成电路的制作可以分成哪三个阶段： 4.人们通常以 ， ， ，来评价集成电路制造工艺的发展水平。 5.集成电路和各种半导体器件制造中所用的材料，主要有哪三种 6.金刚石结构特点？ 7.双层密排面的特点？ 8.固溶体，固溶度 9.按溶质在溶剂中存在形式，固溶体分哪两种？ 10.某种元素能否作为扩散杂质的一个重要标准：看这种杂质的最大固溶度是否 所要求的表面浓度，如果表面浓度 杂质的最大固溶度，那么选用这种杂质就无法获得所希望的分布。 Chap 1 硅的晶体结构 自然界中的固态物质，简称为固体，可分为晶体和非晶体两大类。晶体类包括单晶体和多晶体。 集成电路和各种半导体器件制造中所用的材料，主要有以下三种：（1）元素半导体，如硅、锗；（2）化合物半导体，如砷化镓、磷化铟；（3）绝缘体，如蓝宝石、尖晶石。目前主要是硅、锗和砷化镓等单晶体，其中又以硅为最多，这是因为硅元素在自然界中的含量十分丰富，大约占地壳25%以上（按质量计算）。硅器件占世界上出售的所有半导体器件的90%以上。因此本章只讲硅晶体的有关特点。 Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 图中从左到右分别是450mm（18英寸）、300mm（12英寸）和200mm（8英寸）的晶圆，其中只有8寸为晶圆实物，18寸和12寸皆为比例模型。 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术； 硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍，出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商所喜欢的。 ? ? 然而，硅晶圆具有的一个特性却限制了生产商随意增加硅晶圆的尺寸，那就是在晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展，坏点数呈上升趋势，这样我们就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。 虽然晶圆尺寸愈大，愈能降低芯片制造成本，但推升晶圆尺寸所需的技术和复杂度高，需要设备、元件等产业链的搭配，建厂成本亦会大幅增加，具备一定难度。 晶圆尺寸的更新换代一般都需要十年左右，比如200mm晶圆是1991年诞生的 ，截至2008年，广泛使用的300mm晶圆则是Intel在2001年引入的，并首先用于130nm工艺处理器。事实上，仍有些半导体企业仍未完成从200mm向300mm的过渡，而Intel此番准备升级450mm必然会让半导体产业的芯片制造经济得到进一步发展。450mm晶圆无论是硅片面积还是切割芯片数都是300mm的两倍多，因此每颗芯片的单位成本都会大大降低。当然，投资更大尺寸的晶圆是需要巨额投资的，一般来说年收入低于100亿美元的企业都无力承担。 Intel不存在这方面的困扰，Intel预计2015年其首条