电离辐射下双界面si3n4sio2si的等离激元 observation on plasmons in double interfaces of si3n4sio2si irradiated by 60co.pdfVIP

第29 卷 第7 期 核 技 术 Vol. 29, No.7 2006 年7 月 NUCLEAR TECHNIQUES July 2006 电离辐射下双界面Si N /SiO /Si 的等离激元 3 4 2 刘昶时 （绍兴文理学院物理系 绍兴 312000 ） 60 摘要 用X 光激发电子能谱（XPS ）分析技术对Si N /SiO /Si 双界面系统经 Co 电离辐照前后处于纯Si 态的 3 4 2 一级等离激元（定位于B. E. 116.95 eV ）、处于SiO 态的一级等离激元（定位于B. E. 122.0 eV ）和处于Si N 2 3 4 态的一级等离激元（定位于B. E. 127.0 eV ）进行了研究。实验结果显示：存在一个由Si N 态等离激元和SiO 3 4 2 态等离激元构成的界面及由 SiO 态等离激元和 Si 态等离激元构成的界面，在电离辐射的作用下，SiO 态－ 2 2 Si N 态等离激元界面区中心向 Si N 态表面方向推移，同时 SiO 态/Si N 态等离激元界面区亦被展宽；电离 3 4 3 4 2 3 4 辐照相当程度地减少位于 SiO 态－Si 态界面至 Si 衬底之间 SiO 态的一级等离激元的浓度：同时偏置电场对 2 2 SiO2/Si 界面等离激元有显著作用。文中就实验现象以光电子能损进行了机制分析。 关键词 等离激元，氮化硅，二氧化硅－硅，剂量，偏置 中图分类号 TN72 ，O483 由于 SiO2/Si 界面对金属－氧化物－半导体器 得薄SiO2 膜，从而提高器件抗电离辐射能力。 件尤其对大规模金属－氧化物－半导体集成电路 （VLSI ）的性能起着决定性的作用，所以人们对它 1 实验方法 已进行了相当细致的研究。并且对厚SiO2 膜的耗尽 采用晶向100 、电阻率为6—9 Ω·cm 的n 型 和损伤也有深入的讨论。已提出包括 硅单晶片作衬底，经清洁后，在1273 K 的干氧气氛 Fowler-Nordheim 电子隧道迁移中定域空穴捕获及 中氧化生长21 nm 的SiO2 膜，然后在已形成的SiO2 氧化区场建立等模型用以解释氧化物破损。正氧化