多晶黑硅材料及其太阳电池应用研究 research on black poly-silicon material and application on solar cells.pdfVIP

第34卷第5期 太阳能学报 ACTAENERGIAESOLARIS 2013年5月 SINICA 文章编号：0254-0096(2013)05-0729-05 多晶黑硅材料及其太阳电池应用研究 沈泽南， 刘邦武，夏 洋，刘 杰，李超波，刘金虎， 钟思华 (中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室，北京100029) 摘要：利用等离子体浸没离子注入技术(PIII)成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜(AFM)观测分析 多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度，黑硅材料表面呈小山峰结构，表面粗糙度约为50nm。利用紫外一可见一红外分 光光度计测量黑硅的反射率，结果表明黑硅材料在300～1100nm的平均反射率为7．9％，远低于酸制绒硅片反射 率。利用制备的多晶黑硅材料制备太阳电池器件，其光电转换效率可达15．88％，开路电压为605mV，短路电流密 度为33．7mA／cm2。最后研究了扩散工艺对黑硅太阳电池性能的影响。 关键词：等离子体浸没离子注入；黑硅；太阳电池 中图分类号：TM914．41；TN304．1文献标识码：A 0 引 言 1 多晶黑硅材料研究 目前太阳电池的研究方向是提高电池效率，从 1．1多晶黑硅材料的制备 而降低成本，而减少太阳电池表面的反射率是提高 实验样品为商用的P型多晶硅材料，尺寸为 电池效率的一个有效方法…。通常利用碱液和IPA 156mmX156mm，厚度在2004-201山m，平均电阻率为 1～3Q·cm。等离子浸没离子注入设备为自行研制 混合溶液对单晶硅进行异性腐蚀制备金字塔结构来 的等离子体浸没离子注人机。首先利用约80℃的 减少单晶硅太阳电池的表面反射率心J，而多晶硅由 15％氢氧化钠溶液对多晶硅进行清洗，去除表面的 于晶向杂乱，常用酸溶液在硅片表面制备出腐蚀坑 机械切割损伤层，再通过酸溶液清洗表面污染物，最 进行减反，但减反效果并不理想∞』。 后进行等离子浸没离子注入制备黑硅材料。等离子 利用反应离子刻蚀(RIE)法制备的多晶硅表面 浸没离子注入制备黑硅材料的原理是反应气体sR 减反射层，可有效避免多晶硅晶向杂乱的影响H1， 但反应离子刻蚀设备昂贵，反应条件苛刻，需要在低 气体等离子体化生成的st；(戈≤5)活性基离子刻 温下实现。而用机械刻槽的方式制备的多晶硅减反 蚀硅片，产生SiF。气体；O：气体等离子体化生成的 层，则会在硅片表面引人硅片碎末¨J。飞秒激光脉 O+基离子用于形成Si，O，F：钝化侧壁。在刻蚀与钝 冲法能制备出准规则的黑硅尖峰结构，具有极低的 化的竞争作用下，形成黑硅结构¨J。 反射率MJ，但飞秒激光设备昂贵，生产效率低，不利 图1为多晶黑硅材料表面的原子力显微镜 于太阳电池的大规模生产。 (AFM)图，从图中看出黑硅表面形貌呈小山峰。黑 本文利用等离子体浸没离子注入技术(PIII) 硅材料表面AFM的高度分布图见图2，小山峰的高 成功制备了多晶黑硅材料，并分别对黑硅材料的 形貌、表面反射率和有效少子寿命进行研究分析。 计算出黑硅表面积为黑硅面积的1．2倍，表面算术