铝碳化硅为电子封装提供热管理解决方案.pdfVIP

应用指南 FieldApplications 铝碳化硅为电子封装提供热管理解决方案 CPS Corporation, Mark A. Occhionero, Richard W. Adams 简介 热传导率(~200 W/mK)以及可调的低热 利用最先进的材料设计低成本的 膨胀系数(CTE)。对于需要减轻重量以 高度可靠的微波电子、微电子、光电子 及需要耐受冲击和振动的应用来说， 和功率半导体系统是不现实的。为了 铝碳化硅的低密度、高强度和硬度使 保证此类设备的可靠性，需要电子封 其具有比传统高密度材料更多的优点。 装和衬底热管理解决方案，因此工程 AlSiC可以实现低成本的净成形 师需要既能够提供热管理特性，同时 (net-shape)或近净成形制造。净成形或 又能够在更小型的设计中达到最优功 近净成形制造的AlSiC产品例子示于图 率密度的材料。要低成本生产此类材 1。此外，AlSiC的成形工艺使其可实现 料需要满足封装设计功能要求的健壮 与高散热材料(如金刚石和高热传导石 图1净成形及近净成形制造的 成型工艺。 墨)的经济集成，因此对于需要高散热 产品AISiC 铝碳化硅(AlSiC)金属基体复合材 能力的应用非常理想。AlSiC的特点以 理想，因为AlSiC提供了所需要的热稳 料为电子封装提供了高度可靠且成本 及成本经济的制造工艺使其对于大批 定性及温度均匀性要求。此外，它也是 经济的热管理解决方案。它可提供高 量倒装芯片应用以及光电设计也非常 大功率晶体管和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)的优选材料，可以提供良好的热 表1 AlSiC材料特性 循环可靠性。 材料级别 铝碳化硅制造工艺 热导率 做为一种独特的制造工艺，AlSiC 比热 首先制造多孔的低CTE值碳化硅(SiC) 密度 杨性弹性系数 颗粒，然后在铸模中溶渗入高CTE值的 切变模量 强度 铝金属。通过这一过程制造出的金属 密封性 电阻 装配相容性 复合材料具有与电子器件和组件相匹 密封环材料 基底材料 配的中间值的CTE值。AlSiC制造工艺 LTCC材料 成本经济，因为预成形和溶渗铸模腔 集成 介电质基底（定制设计），同轴陶瓷串接，密封环， 都可针对最终产品形状而设计。因此， HOPG，冷却管。 电镀 铸出的复合材料产品不需要进一步加 所列兼容性材料1是以温度在30℃～150℃之间的