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奈米深蚀刻系统感应耦合离子电浆
國立成功大學 微奈米科技研究中心 TEL :(06)2757575轉 31380 FAX :(06)2080103
National Cheng Kung University Center for Micro/Nano Science Technology
Inductive Coupled Plasma Etching System
奈米深蝕刻系統
感應耦合離子電漿( )
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SOP EIS-700 ICP 奈米深蝕刻系統SOP 1 沈欣燕 2013/11/18
國立成功大學 微奈米科技研究中心 TEL :(06)2757575轉 31380 FAX :(06)2080103
National Cheng Kung University Center for Micro/Nano Science Technology
目錄
I. 設備 3
II. 參考資料3
III. 規格3
IV. Sample種類要求及限制 3
V. 機台及軟體介紹4
1. EIS-700硬體外觀介紹 4
2. User interface 12
VI. 操作流程 13
1. 刷卡取得機台使用權 13
2. 填寫ICP”使用紀錄表 ”及”使用前後檢查表 ” 13
使用前必須確實檢查及記錄,若機台有問題將追究最後一位使用者。( ) 13
3. 蝕刻前之準備 13
4. Loading the specimen 14
5. MFC (MASS FLOW CONTROLLER) POWER ON 18
6. RF POWER ON 19
7. 蝕刻參數設定 19
8. 開始蝕刻 24
9. 蝕 刻完成25
10. Unload the specimen 26
11. RF POWER ON 28
12. 進行 O2 Chamber Cleaning28
13. 關機程序 30
14. 刷卡退出機台使用權 31
15. 確實填寫 ICP”使用紀錄表 ”及”儀器使用檢查表 ”31
VII. 機台故障處理方式32
VIII. 注意事項32
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