铸造多晶硅少子寿命的热衰减研究 study on thermal degradation of minority carrier lifetime of cast multicrystalline silicon.pdfVIP

第34卷第5期 太阳能学报 V01．34，No．5 SOLARISSINICA 2013年5月 ACTAENERGIAE May，2013 文章编号：0254-0096(2013)05-0734-07 铸造多晶硅少子寿命的热衰减研究 周潘兵，周 浪 (南昌大学材料科学与工程学院／太阳能光伏学院，南昌330031) 摘要：研究了加热温度与冷却速率对热处理铸造多晶硅少子寿命和间隙铁含量的影响。实验结果表明，铸造多 命，加热温度越高，快冷后硅片的间隙铁含量越高，少子寿命越低；铸造多晶硅在900—1050。C的范围加热，以50。C／s 的速率快冷至室温，高温下固溶于硅中的铁原子约有10％会形成间隙铁，约90％形成铁沉淀。铸造多晶硅片分别 子寿命随冷却速率增加而降低，加热温度越高，间隙铁含量上升的幅度越大，而少子寿命下降的幅度越大。 关键词：铸造多晶硅；少子寿命；热衰减 中图分类号：TK514 文献标识码：A 包含诸如磷扩散制结、电极烧结等热过程，这些热过 0 引 言 程中少子寿命热衰减的情况直接影响太阳电池的转 少数载流子寿命是反映太阳能硅晶材料质量的 换效率，因此研究硅晶体少子寿命的热衰减具有十 重要参数，它在很大程度上决定了硅晶太阳电池的 分重要的意义。国内外对单晶硅和多晶硅的热衰减 光电转换效率，提高硅晶材料的少子寿命或尽可能 已进行了一些研究，BuonassisiT等H1研究表明：高 减小太阳电池制造过程中硅片少子寿命的衰减对提 温加热以及随后的快速冷却将导致金属杂质的弥散 高太阳电池的转换效率具有十分重要的意义。 分布，这将导致半导体器件性能的下降，并建议生产 研究表明¨’2J：多晶硅的少子寿命直接或间接 上尽量采用低温结合慢冷处理。RohatgiA等∞1研 地取决于材料的堆垛层错、位错、晶界等缺陷以及 究认为：快速冷却将引入深能级，从而导致硅片少子 氧、碳、金属等杂质的状况。太阳能级纯度水平的铸 寿命的降低，该深能级能通过慢冷消除。国内浙江 造多晶硅一般都含有金属杂质原子，如铁、铜、钴、镍 大学的研究表明怕j：单晶硅经快速冷却，由于形成 等，其中铁是多晶硅中主要的金属杂质元素。在铸 高密度的铁沉淀，从而导致很低的少数载流子扩散 造多晶硅定向凝固后所经历的缓慢冷却过程中，过 长度；无论是单晶硅还是多晶硅，快速冷却形成的铁 饱和金属杂质会沉淀并聚集生长为夹杂相，使晶体 沉淀更加显著地降低材料少数载流子的扩散长度。 硅基体得以净化，金属杂质原子对少子寿命的危害 这些研究定性揭示了硅晶体少子寿命热衰减现象和 得以抑制∞J。加热保温会使这些夹杂相部分或全 其中的一些原因，但缺乏定量信息，比如不同温度下 部溶解而释放出金属杂质原子，随后的冷却如不能 铁在硅中的固溶化程度到底怎样?硅晶体经多高温 充分再现硅晶体在其生长过程中极为缓慢的冷却过 度加热才会发生较严重热衰减?加热后需要多缓慢 程，这些金属或不能沉淀，或只能成为细小弥散的沉 的冷却才能防止或减轻热衰减?研究少子寿命的热 淀，对少子寿命的损害会更大，从而造成铸造多晶硅 衰减如果不掌握这些过程动力学信息就不能为晶硅 少子寿命的下降∞J。这种硅晶体由于后续热过程 特别是多晶硅太阳电池生产工艺优化提供参考。本 而导致少数载流子寿命下降的现象具有一定普遍 文是针对这一需要开展的实验