CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定.pdfVIP

助 锨 材 料 CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定’ 查钢强1，介万奇1，李 强1，刘永勤2 (1．西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072； 2．西凯光电子材料技术发展有限责任公司，陕西西安710072) 摘 要： 研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。 粗抛采用双面抛光，温度为室温，压力为5kPa，抛 采用Si0。和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平 view 整，在光学显微镜下观察没有划伤，采用New 5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度R。为8．752nm。 采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。 整光亮，仅有少量肉眼可见的细微规则划痕，如图1所 通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值，计 示。在OLYMPUSPMG3金相显微镜下观察到的表 算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26．7肛m。 面形貌如图2所示。 关键词：CdZnTe；机械抛光；X射线摇摆曲线；表面 损伤层 中图分类号： TN304．07 文献标识码：A 文章编号：1001—973l(2006)01一0120一03 1 引 言 CdZnTe(简写为CZT)是一种由CdTe和ZnTe组 成的膺二元化合物半导体，为闪锌矿结构的连续固溶 体。它的主要用途有两个：一是作为外延生长红外探 测材料HgCdTe的衬底[13；另外一个是制备可在室温 图1 czT晶片粗抛后的裹面谬貌 条件下使用的核辐射探测器[2～。 1ThesurfaceofCZTwaferafter Fig primarypolis— 作为探测器材料，需要制作金属电极，要求金属薄 hing 膜附着力强，对晶片的表面粗糙度有较高要求，此外还 要求材料表面无机械损伤，因为表面损伤层内晶格周 期性被严重破坏，形成空间电荷区，产生表面附加能 级，造成表面漏电流，影响电极的欧姆特性[t．5]。作为 衬底材料，同样要求表面光滑平整，且无损伤层，因为 表面损伤将是外延生长过程中的缺陷源[6]。 CZT单晶片软且脆，采用Hv-looo显微硬度计测 量CZT晶片的显微韦氏硬度仅为65，且当载荷超过 O．5N时晶片就会出现裂纹。目前CZT晶体的抛光工 艺还不成熟，通常都是采用手工抛光。但手工抛光不 图2粗抛后的表面显微划痕 确定因素多，可重复性差、加工效率低。本文将探讨 2ThescratchsonCZTsurfaceafter Fig primarypol— CZT晶体的机械抛光方法，并对机械抛光造成的表面 ishing 损伤层进行测定和评价。 细抛采用同样的抛光机，改为单面抛光，压力为 2 抛光实验 将采用Bridgman法生长的Cd0．96Zm．04Te晶锭， 20min后取出样品观察，晶片表面平整光亮，肉眼观察 进行切片、倒角和研磨以获得平整的晶体表面，然后进 无划痕，但出现麻点，在OLYMPUSPMG3金相显微 行抛光。抛光在X61—385＆l型抛光机上分为粗抛和 镜下观察到的表面形貌如图3(a)所示。延长抛光时 细抛两步进行。 间至40min后麻点明