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纠错码在容错存储器设计中的应用.doc

  纠错码在容错存储器设计中的应用|第1 摘 要:本文分析了存储器产生错误的原因,提出了提高其可靠性的途径,给出了一套常用数字系统中存储器容错的纠错码方案,最终通过验证电路说明其可行性。 关键词:容错;ECC;改进汉明码;存储器 容错存储器概述   存储器是数字系统中常用的器件之一,是采用大规模集成电路存储芯片构成的。实际统计表明,存储器的主要错误是单个电路故障所引起的一位错或者相关多位错,而随机独立的多位错误极少。在按字节组织的内存储器中,主要错误模式为单字节错;而在按位组织的内存储器中,主要错误模式为单位错。   半导体存储器的错误大体上分为硬错误和软错误,其中主要为软错误。硬错误所表现的现象是在某个或某些位置上,存取数据重复地出现错误,出现这种现象的原因是一个或几个存储单元出现故障。软错误主要是由α粒子引起的,存储器芯片的材料中含有微量放射性元素,它们会间断地释放α粒子。这些粒子以相当大的能量冲击存储电容,改变其电荷,从而引起存储数据的错误。引起软错误的另一原因是噪声干扰。   随着存储芯片容量的增大,器件的成品率呈指数规律下降。通常人们一方面改良制造工艺以提高成品率,另一方面在电路设计时通过硬件冗余的方式来实现可靠性的提高。当前,VLSI存储器芯片的设计过程中主要采用两种错误检测与纠正方案。   ● 备份行(或列)方案   这种方案是在存储芯片的设计与制造过程中,增加若干备份的行(或列)。在芯片测试时,若发现失效的行(或列),则通过激光(或电学)的处理,用备份行(或列)去代替它们。这种方法的优点是设计简单,管芯面积增加较少,电路速度没有损失。但是,它需要增加某些测试与修正失效行(或列)的工艺环节,更重要的弱点是这种方案仅适用于RAM,不能用于ROM。   ● 纠错编码方案   这种方案是在存储芯片内部采用纠错编码,自动检测并纠正错误。这种方案不需要额外的测试和纠正错误等工艺环节,除提高成品率外,还对可靠性有明显改进。这种方案最突出的优点是特别适合ROM,在对速度要求不高的情况下也可用于RAM。其主要缺点在于要占用额外的芯片面积,同时因编译码而影响芯片整个的工作速度。将用于存储器系统级的纠错编码等容错技术引入存储器芯片内部,是提高存储芯片成品率和可靠性的有效措施,例如ECC内存就采用了此技术。 常用的纠错码简介   数据通信中常用的纠检错码有奇偶校验码、汉明码及其改进码。   ● 在串行通信中使用的一维奇偶校验码是最简单的一种纠错码,它的编码规律是在数据位末尾添加一位校验位,使得整个码字中含有奇数或偶数个1,它能发现所有的奇数位错,但它不能用来纠正错误。需要指出的是采用二维奇偶校验码(即将数据按矩阵排列,分别对行、列进行一维奇偶校验编码)后,不仅可以纠正一位错,还能检出某些突发错误,所以在一些数据传输网络中得以应用。   ● 汉明码是一种能纠一位错的线性分组码,由于它的编译码简单,在数据通信和计算机存储系统中广泛应用,如在蓝牙技术和硬盘阵列中。它的最小码距为3,可以纠正一位错误,但对于两位错不能检测,还可能会造成误纠。尽管发生一位错的概率相对最高,但在一些要求较高的应用中汉明码不能满足要求。   ● 常用的能检测两位错同时能纠正一位错(简称纠一检二,SEC-DED)的纠错码有扩展汉明码(Extended Hamming Code)和最佳奇权码(Optimal Odd-odified Hamming Code)。   本文应用于存储器的纠错码是面向随机字节数据的,一二维奇偶校验码都不能满足要求,只能从最佳奇权码和扩展汉明码中选取。从性能上看最佳奇权码比扩展汉明码更为优越,前者在纠检错能力方面也优于后者,它的三位错误的误纠概率低于后者,而四位错误的检测概率高于后者,最重要的是它便于硬件实现,故应用得最多,本文决定采用最佳奇权码。 编译码原理   首先构造最佳奇权码的校验矩阵即H矩阵,最佳奇权码的H矩阵应满足:   (1)每列含有奇数个1,且无相同列;   (2)总的1的个数少,所以校验位、伴随式生成表达式中的半加项数少,从而生成逻辑所需的半加器少,可以节约器材、降低成本和提高可靠性。   (3)每行中1的个数尽量相等或接近某个平均值,这种决定了生成逻辑及其级数的一致性,不仅译码速度快,同时线路匀称。   应用中采用(13,8,4)最佳奇权码,数据码为(d7d6···d1d0),校验码为(),P矩阵和编码规则分别为:   译码时把数据再次编码所得到的新校验位与原校验位模二加,便得到伴随式S,由其可判别错误类型。   500)this.style.ouseg(this)   (1)若S=0,则认为没有错误;   (2)若S≠0,且S含有奇数个1,则认为产生了单位错;   (3)若S≠0,且S含有偶数个1,

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