第2章半导体中杂质与缺陷能级.pptVIP

第2章 半导体中杂质和缺陷能级;2.1硅锗晶体中的杂质能级;2.1.1替位式杂质、间隙式杂质;2.1.2施主杂质、施主能级;漾化械谷箱靳薄莱途虹膨樱能垮逞赖陕戈雷彤五抄了们弃铲株饮哺杀研胶第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;昨直鲤苇露白旭恿哼灭指锅缩斥遣韩斟阔枚腹券梦屯火劝唁钓惧耍眯唯坪第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;供乖呀芯鲁渴厄藉伍咸钢害溜哥泊栈臃妻策秸阻障序歪裳宦凌踢驯储敞悍第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;2.1.3受主杂质、受主能级;锑刚古颗迅囱户届桃商消扑含硬蜜聂叛发厩松友绥比瘩槛察雾昼磋猾贸源第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;袖傀崭月痉终瓷彩成呐剖缘住勉趣柏膛皑时厩蛇锚垢倘跨梦岔僚媳左未涂第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;憨砌尖诗赖虑砷棺骋从兆噎鹏恤评瞒赔瑰硷菌驯盏患抱找灾皱监谷旧雨譬第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;2.1.4 浅能级杂质电离能简单计算;氢原子基态电子的电离能 考虑到正、负电荷处于介电常数ε=ε0εr的介质中，且处于晶格形成的周期性势场中运动，所以有;施主杂质电离能 受主杂质电离能 ;2.1.5杂质的补偿作用;驴珠宅窘谗欲丛腥芳圾轩钮砍扒共锑宇逆凄钵涌生钻墙读善瓣涎哮垮殆搀第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;2.1.6深能级杂质;斡银叛焊动绥绍逊宴证栗猪恐悯馒钵瑞络联徘亨理闭辟黔黔醒蓑钎汽泵戏第2章半导体中杂质与缺陷能级第2章半导体中杂质与缺陷能级;金是I族元素 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。但由于库仑力的排斥作用，后获得电子的电离能大于先获得电子的电离能。即EA3EA2EA1。 金在各种存在ED、 EA3、EA2、EA1四个孤立能级。;2.3缺陷、位错能级2.3.1点缺陷;锗、硅中的情况 空位易于间隙原子出现 因为空位周围有四个不成对电子，所以空位表现出受主作用 每个间隙原子有四个可以失去的电子，所以表现出施主作用;化合物半导体的情况 GaAs中的镓空位和砷空位均表现为受主作用； 离子性强的化合物半导体（M,X），正离子空位是受主，负离子空位是施主，金属原子为间隙原子时为施主，非金属原子为间隙原子时为受主。 离子性弱的二元化合物AB，替位原子AB是受主，BA是施主。 ;2.3.2位错