膜物理章 7.pptVIP

第七章 薄膜材料及其应用;第一节 耐磨及表面防护涂层 第二节 金刚石薄膜 第三节 集成电路中的薄膜材料 第四节 集成光学器件 第五节 磁记录薄膜和光存储薄膜;第一节 耐磨及表面防护涂层;一、硬质涂层; 涂层材料与基底材料线膨胀系数的差别将引起涂层及基底中产生很大的热应力，严重时会导致涂层从基底表面脱落。;二、热防护涂层;三、防腐涂层;第二节 金刚石薄膜;一、金刚石薄膜的制备技术;其中的星号表示相应的原子或原子团具有一定的化学反应活性。上述活性原子或基团在扩散至衬底表面时，将发生一系列的化学反应，其中比较重要的有;CVD方法沉积的金刚石薄膜;二、金刚石薄膜的应用;3、金刚石光学性质的应用。金刚石在从紫外到远红外的很宽的波长范围内具有很高的光谱透过性能。金刚石还具有极高的硬度、强度、热导率以及极低的线膨胀系数和良好的化学稳定性。这些优异性质的综合使得金刚石薄膜成为可以在恶劣环境中使用的极好的光学窗口材料。;第三节 集成电路中的薄膜材料;一、集成电路制造技术; 集成电路和最基本的制造工艺流程则如图(b)所示，它包括了将Si片的表层氧化构成绝缘层，在其上涂布对某一光波长敏感的光刻胶，在掩膜的帮助下使特定图形的光刻胶曝光，去除未曝光刻胶并按照其图形腐蚀掉氧化物层，在未被氧化物层覆盖的区域上扩散进特定浓度的杂质实现搀杂、沉积导电连线等一系列步骤。;二、发光二极管和异质结激光器;佛钥印竟袁劫默融抑驭洲姥煎珠酚缴吗弛密愉涡疾礼零憾之拯佳琅隘必衬膜物理章 7膜物理章 7;三、超晶格与量子阱结构; 　在同一种成分的基础上，通过周期性地改变掺杂元素或浓度可以制成超晶格，如图(a)所示。这种掺杂超晶格的特点是禁带宽度不变，但周期性排布的p-n结势垒不可能做得很陡，但应用MBE方法可以制备出界面清晰的超晶格。 　超晶格的第二种形式如图(b)所示，其特点是超晶格的成分在周期性地变化，同时禁带宽度在不断变化。;第四节 集成光学器件;一、集成光波导和光学器件; 光线在波导中的另一种描述方式如左图(b)所示，即在垂直于传播的方向上，光波以驻皮的形式存在，而在传播方向上，光波则是以行波的形式传播。注意，即使是光波在波导中发生了全反射，还是有一部分光能穿出了波导并散布到了空间。;二、集成光学器件材料;第五节 磁记录薄膜和光存储薄膜;一、简 介; 对于磁头材料：需要其具有典型的软磁性，即饱和磁化强度高、矫顽力低、导磁率高、磁致伸缩系数低、允许使用频率高。;二、复合磁头和薄膜磁头; 1、采用电镀或者溅射、蒸发等方法，在上述磁头间隙处沉积上一层厚度为几微米的软磁性能较好的合金薄膜，制成铁氧体-合金薄膜复合磁头，如图(b)所示。; 为了进一步提高磁头的灵敏度，可以继续提高磁性薄膜材料的饱和磁化强度。;三、磁记录介质薄膜及其制造技术;硬磁盘： 衬底：Al-Mg合金（要求：极低的表面粗糙度） 1、为了提高衬底的硬度，在衬底上首先要采用化学镀的方法沉积上一层具有适当硬度的NiP合金层。这一镀层其结构是非晶态的，不具有铁磁性。（硬质底层） 2、对衬底进行进一步的抛光后，采用PVD方法在其上沉积上具有适当磁各向异性、厚度为几百纳米的磁性薄膜。为了使薄膜具备所需的平面内各向异性，可以采取倾斜蒸发沉积的方法。（磁性层） 3、最后，为了保护磁性薄膜免受磁头不断冲击可能造成的损害，还需要在薄膜表面沉积一层硬度较高的非晶碳（类金刚石）组成的硬质薄膜。（保护层）;软磁盘或磁带： 衬底：聚酯（PET）材料 采用连续蒸发倾斜沉积的方法制造。这时，由电子束蒸发出来的CoNi合金蒸气将从特定的角度入射并沉积于衬底之上。合适的衬底运动方向将导致在衬底上形成一定倾斜度的柱状晶核心，从而改善沉积后薄膜的矫顽力和磁化回线的方形度。;四、光存储介质概况;2、一次写入式光盘 这类光盘可以依用户的需要一次写入所要记录的信息，并可以反复读取，但不能对信息进行改写。写入信息的方式可以有各种方式，如图所示，有烧蚀型、发泡型、熔融型、合金化型、相变型。;五、磁光存储（Magneto-Optical Recording,MO）;读出过程：在偏振光垂直入射的情况下，磁化方向不同的区域将会使反射光的偏振方向发生微小但却完全不同的变化，这就是克尔磁光效应。因而，在如图所示的读出过程中，反射回来的激光束的偏振方向将与要读出的信息相对应，即依靠探测激光偏振面的变化就可以实现信息的读出。;六、相变光存储（Phase Change Optical Recording）;帝影围馏眠甜琶讶剐断漏倪界潦皱堂沦袁谤糜跨导贾废俺缀唱隶创选取澡膜物理章 7膜物理章 7;对相变光存储材料的性能要求包括：