等级状CdS树枝晶的形貌控制及生长机理.pdfVIP

No．3 第54卷第3期 武汉大学学报(理学版) V01．54 2008年6月 J．WuhanUniv．(Nat．Sei．Ed．) 2008，313～316 June 文章编号：1671—8836(2008)03—0313—04 等级状CdS树枝晶的形貌控制及生长机理 方鹏飞，高远鹏 (武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉430072) 摘要：以聚乙烯醇(PVA)作为表面修饰剂，采用水热法在180℃下于Cd”一硫脲络合体系中合成了大量的 等级状CdS树枝晶．用扫描电镜研究发现，合成的这些CdS晶体具有规则的树枝状形貌，x射线衍射图谱显示这些 产物具有六方铅锌矿结构．研究表明：在晶体生长中，PVA分子在CdS晶体不同晶面的选择吸附对其取向生长有强 化作用，从而有助于树枝晶的形成。但过量PVA的空间位阻效应及其交联作用对CdS树枝晶的形成有不利的影响． 关键词：硫脲；聚乙烯醇；水热法；硫化镉；等级状树枝晶 649 中图分类号：O614．24+2；O 文献标识码：A 剂PVA的包覆，通过比较简单的水热法合成了等 0 引 言 级状的CdS树枝晶．通过X射线衍射仪和扫描电子 显微镜对产物进行了表征，并在此基础上研究了 CdS是一种典型的Ⅱ一Ⅵ族宽禁带半导体材料， CdS树枝晶的生长机理，分析了修饰剂PVA在合 室温下其禁带宽度E。为2．42eV．它具有优良的光 成过程中所起的作用． 电转换特性和发光性能，在发光二极管、太阳能电 池、光电显示以及其他光电器件中有着广泛的应用 1 实验部分 前景[1]．CdS晶体的性能与其尺寸、形貌有关口]，因 此在晶体生长过程中对其尺寸、形貌等结构进行有 1．1试剂 效调控，以控制其良好的亚结构的合成，可以得到不 CdCI。·2．5H：0(分析纯)，天津市凯通化学试剂 同性能的材料或器件．这种自下而上的路线给未来 有限公司生产；SC(NH。)：(分析纯)，上海试一化学 的纳米器件的应用开辟了崭新的思路． 试剂有限公司生产；聚乙烯醇(PVA1788)(化学 近20年来，有关纳米材料形貌控制(特别是关 纯)，天津四通化工厂生产；无水乙醇(分析纯)，天津 于较复杂的形貌)的研究一直广受关注[3~6]．其中， 对于树枝状晶体的研究以前主要集中在金属材 市凯通化学试剂有限公司生产． 料[7]，近年来无机化合物材料比如氧化物[83和氢氧 1．2等级状CdS树枝晶的制备 化物[93等开始被关注，有关硫化物的树枝晶也逐渐 以氯化镉为镉源，以硫脲为硫源，于100mL聚 四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，在180℃下水热 引起人们的重视．Zhang等u叩采用氨基硫脲为硫源 和表面络合剂在甲醇／水混合溶剂中合成了具有枝 法合成CdS粉末样品．具体步骤如下：