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电 力 电 子 技 术Power Electronic Technology 电力电子器件_GTR 、电力MOSFET、IGBT 3.7 电力晶体管GTR 术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 4.1 GTR的结构和工作原理 GTR的结构和工作原理( 图1-15 ） 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 4.1 GTR的结构和工作原理 一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为 （1-9） ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo （1-10） 产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为??hFE 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益 4.1 GTR的基本特性 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 4.1 GTR的基本特性 4.1 GTR的基本特性 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，(负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗)，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 4.1 GTR的主要参数 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff 此外还有, 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo低得多 BUceo为基极开路时，c和e之间的击穿电压。 4.1 GTR的主要参数 2)?集电极最大允许电流IcM 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点 3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 4.1 GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变 二次击穿 一次击穿发生时，如果继续增高外接电压，则Ic继续增大，当达到某个临界点时，Uce会突然降低至一个小值，同时导致Ic急剧上升，这种现象称为二次击穿； 二次击穿的持续时间很短，一般在纳秒至微秒范围，常常立即导致器件的永久损坏。 将不同基极电流下二次击穿的临界点连接起来，就构成二次击穿临界线，其反映二次击穿功率PSB。 4.1 GTR的二次击穿现象与安全工作区 安全工作区（Safe Operating Area——SOA） 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定 图1-18 GTR的安全工作区 4.2 电力场效应晶体管 也分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET） 但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称 电力MOSFET（Power MOSFET） ?按导电沟道可分为 P沟道 和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?电力MOSFET主要是增强型,以