微机的存储器系统.DOC

第6章 微机的存储器系统 一、本章内容概述 存储器是计算机的重要组成部分之一，计算机要执行的指令以及待处理的数据等都要事先存储在存储器中，以实现计算机自动的、连续的工作。计算机中使用的存储器有内存和外存之分，CPU能直接访问的是内存，外存信息必须调入内存方可被CPU使用。本章主要讨论作为内存的半导体存储器。在简要介绍的分类和基本存储元件电路的基础上，重点介绍了常用的几种典型存储器芯片及其与CPU之间的连接与扩展问题，并简要介绍了目前广泛应用的几种新型存储器。 6.1 概述 1. 存储器的分类 存储器是计算机用来存储信息的部件。按存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存和外存。 内存：把通过系统总线直接与CPU相连、具有一定容量、存取速度快的存储器称为内存储器，简称内存。目前内存一般都使用半导体存储器。 外存：把通过接口电路与系统相连、存储容量大而速度较慢的存储器称为外存储器，简称外存。外存常使用磁介质或光介质存储器，如硬盘、软盘和光盘等。 2. 半导体存储器的分类 从应用角度可将半导体存储器分为两大类：随机读写存储器RAM (Random Access Memory) 和只读存储器ROM (Read Only Memory)。 RAM是可读、可写的存储器，CPU可以对RAM的内容随机地读写访问，RAM中的信息断电后即丢失。 ROM的内容只能随机读出而不能写入，断电后信息不会丢失，常用来存放不需要改变的信息(如某些系统程序)，信息一旦写入就固定不变了。 半导体存储器的分类如图6.1所示。 3. 半导体存储器的主要技术指标 1) 存储容量 存储器可以存储的二进制信息总量称为存储容量。存储容量有两种表示方法： ⑴ 位表示方法。以存储器中的存储地址总数与存储字位数的乘积表示。如1K×4位，表示该芯片有1K个单元（1K＝1024），每个存储单元的长度为4个二进制位。 ⑵ 字节表示方法。以存储器中的单元总数表示（一个存储单元由8个二进制位组成，称为一个字节，用B表示）。如128B，表示该芯片有128个单元。 2）存储速度 存储器的存储速度可以用两个时间参数表示，一个是“存取时间”，定义为从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间；另一个是“存储周期”，定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。 3) 可靠性 存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF越长，可靠性越高。 4) 性能／价格比 这是一个综合性指标，性能主要包括上述三项指标：存储容量、存储速度和可靠性，对不同用途的存储器有不同的要求。 4. 半导体存储器芯片的基本结构 半导体存储器芯片一般有存储体和外围电路两大部分组成。存储体式存储信息的部分，由大量的基本存储电路组成。外围电路主要包括地址译码电路和有三态数据缓冲、控制逻辑两部分组成的读/写控制电路。 6.2 随机读写存储器 随机读写存储器主要采用MOS工艺制成，可分为静态存储器和动态存储器。 1. 静态存储器(SRAM) 存储元由双稳电路构成，存储信息稳定。由于静态RAM的基本存储电路中管子数目较多，故集成度较低。另外，静态RAM的功耗比较大。但是静态RAM不需要刷新电路，所以简化了外围电路。 2. 典型的静态存储器芯片 ⑴ Intel 2114 SRAM 芯片 Intel 2114 SRAM 芯片采用18引脚封装，其容量为1K×4位，+5V电源，芯片引脚图和逻辑符号分别如图6.2和6.3所示。 Intel 2114 SRAM 芯片主要引脚有： 地址线：10根（A9～A0）数据线：4根（I/O4～I/O1） 写允许信号：WE 选片信号：CS ⑵ Intel 6116 SRAM芯片 Intel 2114 SRAM 芯片采用24引脚封装，其容量为2K×8位，+5V电源，芯片引脚图和逻辑符号分别如图6.4和6.5所示。 Intel 2114 SRAM 芯片主要引脚有： 地址线：11根（A10～A0）写允许信号：WE 数据输出允许信号：OE 选片信号：CS 3. 动态存储器（DRAM） 存储元主要由电容构成，由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定，故DRAM芯片需要定时刷新。另外，动态存储器的结构简单，因而集成度高，但要求的读写外围电路较复杂，适合于大容量存储器。 4. 典型的动态存储器芯片 (1) Intel 2164 DRAM 芯片 Intel 2164 DRAM 芯片采用16引脚封装，其容量为64K×1位，+5V电源，芯片引脚图和逻辑符号分别如图6.6和6.7所示。 Intel 2164 DRAM 芯片主要引脚有： 地址线：8根（A7～A0）数据输入线：1根（DIN）数据输出线：1根（DOUT） (2) Intel 2116 DRAM 芯片 Intel 2116 DRAM 芯片采用