三章逻辑门电路.pptVIP

特点:功耗低、速度快、驱动力强 3.2.6 Bi CMOS门电路 ?I为高电平: MN、M1和T2导通，MP、M2和T1截止，输出?O为低电平。 工作原理: M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流, M1 、 M2加快输出状态的转换 ?I为低电平: MP、M2和T1导通，MN、M1和T2截止，输出?O为高电平。 T2基区的存储电荷通过M2而消散。 M1 、 M2加快输出状态的转换电路的开关速度可得到改善 M1截止，MP的输出电流全部作为T1的驱动电流。 3.1.4 逻辑门电路的一般特性 1. 输入和输出的高、低电平 v O v I 驱动门 G 1 负载门 G 2 1 1 输出高电平的下限值 VOH(min) 输入低电平的上限值 VIL(max) 输入高电平的下限值 VIL(min) 输出低电平的上限值 VOH(max) 输出 高电平 + V DD V OH ( min ) V OL ( max ) 0 G 1 门 v O 范围 v O 输出 低电平 输入 高电平 V IH ( min ) V IL ( max ) + V DD 0 G 2 门 v I 范围 输入 低电平 v I VNH —当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。 负载门输入高电平时的噪声容限： VNL —当前级门输出低电平的最大 值时允许正向噪声电压的最大值 负载门输入低电平时的噪声容限： 2. 噪声容限 VNH =VOH(min)－VIH(min) VNL =VIL(max)－VOL(max) 在保证输出电平不变的条件下，输入电平允许波动的范围。 它表示门电路的抗干扰能力 1 驱动门 v o 1 负载门 v I 噪声 0.9 2.1 8 7 tPLH或tPHL(ns) 74AUC VDD=1.8V 74LVC VDD=3.3V 74HCT VDD=5V 74HC VDD=5V 类型 参数 3.传输延迟时间 传输延迟时间tPHL, tPLH是表征门电路开关速度的参数，它说明门电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长的时间。 CMOS电路传输延迟时间 t PHL 输出 50% 90% 50% 10% t PLH t f t r 输入 50% 50% 10% 90% 平均传输延迟时间tpd=(tPHL+tPLH)/2 4. 功耗 静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路空载时电源总电流ID与电源电压VDD的乘积。 P0= IDVDD 5. 延时?功耗积 是速度功耗综合性的指标.延时?功耗积，用符号DP表示 DP=tpdPD 扇入数：取决于逻辑门的输入端的个数。 6. 扇入与扇出数 动态功耗：指的是电路在输出状态转换时的功耗， 对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的。 CMOS电路的静态功耗非常低，CMOS门电路有动态功耗 扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的 最大数目。 （a)带拉电流负载 当负载门的个数增加时，总的拉电流将增加，会引起输出高电压的降低。但不得低于输出高电平的下限值，这就限制了负载门的个数。 高电平扇出数: IOH :驱动门的输出端为高电平电流 IIH :负载门的输入电流为。 (b)带灌电流负载 当负载门的个数增加时，总的灌电流IOL将增加，同时也将引起输出低电压VOL的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输出低电平的上限值。 IOL ：驱动门的输出端为低电平电流 IIL ：负载门输入端电流之和 低电平扇出数: CMOS反相器在输入信号的高、低电平作用下，总有一个管子处于截止状态，其工作电流非常小，接近于管子的漏电流，所以静态功耗极小。同时，总有一个管子处于饱和导通状态，为负载电容CL提供了低电阻的充放电回路。因此，工作速度高。 CMOS反相器的特点 (a)静态功耗极小: 小于10nW (b)工作速度较高: nS数量级 (c)抗干扰性能好: 噪声容限宽，电源电压的45％ (d)负载能力较强: No? 50 (e)电源适用范围宽: 3～18V 0.00087~22 0.0003~7.5 2.9 BiCMOS 13 1? (1MHz) 13 74HCT 15 1.5? (1MHz) 10 74HC 105 1?(1MHz) 75 4000B 延时功耗积 (pJ) 功耗