基于CMOS亚阈值特性低功耗温度传感器.pdfVIP

第27卷第9期 半导体学报 V01．27N0．9 2006年9月 CHINESEJoURNALoFSEMICONDUCToRS Sep．，2006 基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器 张 洵+ 王鹏 靳东明 (清华大学微电子所，北京100084) 摘要：针对片上系统测温及其过温保护问题，提出了一种基于cMoS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器． csMc O．6肛m数模混合工艺仿真表明，其在一50～150℃的温度范围内，都能良好工作，且因为运放负反馈结构对 电源电压具有较高的抑制，在2～6V的范围内都能得到正确的输出结果．芯片实测，温度灵敏度为0．77V／℃．因为 性表明它非常适用于高容量的集成微系统中，在计算机、汽车电子、生物医学等领域有着广阔的应用前景． 关键词：温度传感器；温度保护电路；电源电压抑止比；温度灵敏度 EEACC：1205；2560；2570D 中图分类号：TN47 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2006)09-1676-05 1 引言 2 CMoS温度传感物理原理 集成电路的热效应是指由于集成电路器件及金 本征载流子浓度与禁带宽度具有如下关系式[6]： 一F 属互连线上的能量消耗而造成芯片内部温度场分布 n； =Ⅳ。Ⅳ，exp音 (1) K』 的不均匀，从而引起电路参数变化，性能变坏，甚至 这里 N。和Ⅳ，分别是导带底和价带顶有效态密 逻辑功能错误，使芯片无法正常工作口~4]． 度；忌是玻尔兹曼常数．高纯度Si的禁带宽度E。是 目前，集成电路热效应越来越严重，早期PC的 1．12eV，但随着材料温度增加而减小，这是因为材 整机功耗只有100多瓦，而现在Intel的65nm单核 料体积会随温度变化．另外，因为载流子迁移率口与 奔腾四处理器(Prescott核心)的功耗就已经达到了 两次碰撞间的平均自由程相关，而这主要是由电离 95w，并且这种温度增长趋势还在继续．研究表明， 杂质散射、声学波散射、光学波散射这三种散射机制 芯片温度平均每升高1℃，MoS管的驱动能力将下 决定的，而声子散射和温度相关． 降约4％，连线延迟增加5％，集成电路失效率增加 从电路级审视这个问题，工作于强反型饱和区 一倍[5]．而目前业界流行的设计模拟软件(如Ca． 的MOS结构满足如(2)式所示的方程： dence，Hspice，IRSIM等)大都只是假定所有器件 ．．，1 在同样温度下工作．因此，针对此类“热障”问题，片 (2) ，d=学s(y舒一yT)2