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犆犕犗犁宽带低噪声放大器的设计-华侨大学学报自然科学版
第 卷 第 期 华 侨 大 学 学 报 （自然 科 学 版 ）
３３ ６ Ｖｏｌ．３３ Ｎｏ．６
年 月 （ ）
２０１２ １１ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＨｕａｉａｏＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ Ｎｏｖ．２０１２
ｑ ｙ
文章编号： （ ）
１０００５０１３２０１２０６０６４００４
犆犕犗犛宽带低噪声放大器的设计
， ， ，
１２ １２ １２
林丽芬 ，凌朝东 ，杨骁
（ 华侨大学 信息科学与工程学院，福建 ；
１． ３６１０２１
２．厦门市专用集成电路系统重点实验室，福建 厦门 ３６１００８）
摘要： 提出一种利用噪声抵消技术减小热噪声因子的互补金属氧化物半导体（ ）宽带低噪声放大器电
ＣＭＯＳ
路 它具有不平衡变换器可转换单端信号为差分信号，无需外接平衡 不平衡变换器，也未采用电感匹配技术，
．
进一步减小了芯片的面积 该低噪声放大器基于 的工艺设计，仿真和验证
． ＴＳＭＣ０．１８ ｍＲＦＣＭＯＳ１．８Ｖ
μ
采用 公司的 工具 结果表明：在 频带内的噪声系数为 ，输入匹配参数
Ｃａｄｅｎｃｅ Ｓｅｃｔｒｅ ． １５０ ６００ＭＨｚ ３．９ｄＢ
ｐ ～
小于 ，输入 阶截点 为
Ｓ１１ －１１．７ｄＢ ３ ＩＩＰ３ １．０３ｄＢｍ．
关键词： 低噪声放大器；宽带；噪声抵消技术；不平衡变换器；互补金属氧化物半导体
中图分类号： ＴＮ４９２ 文献标志码： Ａ
低噪声放大器（ ， ）是射频接收机前端的重要部分 它的主要作用是放大接
ｌｏｗｎｏｉｓｅａｍ ｌｉｆｉｅｒＬＮＡ ．
ｐ
收到的微弱信号，足够高的增益克服后续各级（如混频器）的噪声，并尽可能少地降低附加噪声的干扰．
ＬＮＡ一般通过传输线直接和天线或天线滤波器相连，由于处于接收机的最前端，其抑制噪声的能力直
［］
接关系到整个接收系统的性能 １ 因此， 的指标越来越严格，不
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