碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响-无机材料学报.PDF

第30 卷 第3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 30 No. 3 2015 年3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2015 文章编号: 1000-324X(2015)03-0233-07 DOI: 10.15541/ji 碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响 1, 2 1 1 1 余志强 , 张昌华 , 李时东 , 廖红华 (1. 湖北民族学院 电气工程系, 恩施 445000; 2. 华中科技大学 光学与电子信息学院, 武汉 430074) 摘 要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算, 研究了 C/Ge 掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质 的影响。结果表明, 本征态和C/Ge 掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体, 其价带顶主要由Si-3p 态电子构成, 而 导带底则主要由Si-3p 态电子决定。通过C 掺杂, 可使硅纳米管的禁带宽度减小, 静态介电常数增大, 吸收光谱产 生红移; 而通过Ge 掺杂, 可使硅纳米管的禁带宽度增大, 静态介电常数减小, 吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳 米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。 关 键 词: 第一性原理; 硅纳米管; 电子结构; 光电性质 中图分类号: O471 文献标识码: A Electronic Structures and Optoelectronic Properties of C/Ge-doped Silicon Nanotubes 1, 2 1 1 1 YU Zhi-Qiang , ZHANG Chang-Hua , LI Shi-Dong , LIAO Hong-Hua (1. Department of Electrical Engineering, Hubei University for Nationalities, Enshi 445000, China; 2. School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) Abstract: The electronic structures and optoelectronic properties of C/Ge-doped single-walled armchair silicon nanotubes were determined by using first-princi