光电技术第四章习题.pdf

光电技术第四章 4.1 何谓“光电发射阈值” ？它与“逸出功”有什么区别？引入“光电发射阈值”对分析光电效应 有什么意义？ 4.2 真空光电倍增管的倍增极有哪几种结构？各有什么特点？ 4.3 为什么常把光电倍增管的光电阴极做成球面？这样设计有什么优越性？ 4.4 何谓光电倍增管的增益特性？光电倍增管各倍增极的发射系数δ与哪些因素有关？最主 要的因素是什么？ 4.5 光电倍增管产生暗电流的原因有哪些？如何降低暗电流？ 4.6 光电倍增管的主要噪声是什么？在什么情况下热噪声可以被忽略？ 4.7 怎样理解光电倍增管的阴极灵敏度和阳极灵敏度？二者的区别是什么？二者有什么关 系？ 4.8 为什么光电倍增管不但要屏蔽光，还要屏蔽电与磁？用什么样材料制造光电倍增管的屏 蔽罩才能达到既屏蔽光、屏蔽电又能屏蔽磁的目的？屏蔽罩为什么必须与玻璃壳分离至少 20mm ？ 4.9 什么叫光电倍增管的疲劳与衰老？两者的差别使什么？能在明亮的室内观看光电倍增 管的结构么？为什么？ 4.10 光电倍增管的短波限和长波限由什么因素决定？ 4.11 某光电倍增管的阳极灵敏度为 10A/lm ，为什么还要限制它的阳极输出电流在 50~100μA ？ 4.12 已知某光电倍增关的阳极灵敏度为100A/lm，阴极灵敏度为2μA/lm ，要求阳极输出电 流限制在100μA 范围内，求允许的最大入射光通量。 4.13 光电倍增管的供电电路分为负高压供电与正高压供电，试说明这两种供电电路的特点， 举例说明它们分别适用与哪种情况？ 4.14 光电倍增管GDB44F 的阴极光照灵敏度为0.5μA/lm ，阳极灵敏度为50A/lm，要求长期 使用时阳极允许电流限制在2μA 以内。求： （1）阴极面上允许的最大光通量。 （2 ）当阳极电阻为75KΩ时，最大的输出电压。 （3 ）若已知该光电倍增管为12 级的Cs3Sb 倍增极，其倍增系数 0.2(UDD )0.7 ,实计算它 的供电电压。 （4 ）当要求输出信号的稳定度为1%时，求高压电源电压的稳定度。 4.15 当用表4-4 所示的光电倍增管GDB-151 设计探测光谱强度为2 109 lm 光谱时，若要 求输出信号电压不小于0.3mV，稳定度要求高于0.1%，试设计该光电倍增管的供电电路。 4.16 设入射到PMT 光敏面上的最大光通量 8 106 lm ，当采用GDB-239 型倍增管作 V 为光电探测入射时，已知GDB-239 为11 级的光电倍增管，阴极为AgOCs 阴极，倍增极为 AgMg 合金材料，阴极灵敏度为10μA/lm.若要求入射通量在8 106 lm 时的输出幅度不低于 0.15V，试设计该PMT 的变换电路。若供电电压稳定度只能做到0.01%，试问该PMT 变换 电路输出信号的稳定度最高能达到多少？