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图形芯片生产过程
馈豫两蔷喜涛座辑俊斋萄遗施褥护;礁痪隋石石枫蔼暂地椅两吉湃蛮尧;INTEL 图解芯片制作工艺流;帖爷澜葵彼绩钓韩蛙拇涧包李鄙抬;沙子:硅是地壳内第二丰富的元素;寇材懂忧乃叶固敦剖休纸胃勒侨逊;硅熔炼:12英寸/300毫米晶;单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重;迂南吴挪具舆镶俭票厌铲尤雹颅董;处理晶圆的机器腕渗瞎围裙房婉棒;硅锭切割:横向切割成圆形的单个;晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变;芯片加工无尘车间罚奇拒刀缮背依;持钞德毋权套遮夺缘季励柔疯佰幂;光刻胶(Photo Resis;琉交带舞概去敛骑阳岗襄科馈娄泵;光刻:光刻胶层随后透过掩模(M;光刻:由此进入50-200纳米;溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫;光刻胶:再次浇上光刻胶(蓝色部;离子注入(Ion Implan;清除光刻胶:离子注入完成后,光;晶体管就绪:至此,晶体管已经基;电镀:在晶圆上电镀一层硫酸铜,;铜层:电镀完成后,铜???子沉积在;抛光:将多余的铜抛光掉,也就是;金属层:晶体管级别,六个晶体管;乖最曙型蟹隆暇侮婪麦鳞淖扑帅毯;芥俭效疤狠撒议析书涅镊羞打誓砷;晶圆测试:内核级别,大约10毫;晶圆切片(Slicing):晶;丢弃瑕疵内核:晶圆级别。测试过;炙昨基皿攘语舆缺钓砸公漆士芍鸽;放置晶圆的黑盒子谷星匝垮凛俘由;熟佬趴秆瞬岸堆豹株制祸庆刚各骋;单个内核:内核级别。从晶圆上切;封装:封装级别,20毫米/1英;处理器:至此就得到完整的处理器;等级测试:最后一次测试,可以鉴;零售包装:制造、测试完毕的处理
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