常用晶体管介绍.pptVIP

常用晶体管简介;准备知识：PN结;V1比较稳定，可作为稳压，通过工艺可以调节为几伏到几千伏 V2处为正向导通，硅管约为0.6V 齐纳击穿：高掺杂，结宽小，较小的反向电压?强结内反向电场，共价键的电子被拉出，载流子迅速增加 雪崩击穿：结宽宽时，由于载流子穿过结的路程长，被电场加速撞出共价键形成新的电子空穴对，载流子又去装另外的共价键形成的链式反应;双极型三极管（Bipolarity Junction Transistor）;BE结正偏，BC结反偏( ), E结会有从B到E的 ，同时C会反向导通形成 从C经过B流向E。所以基极电流与集电极电流叠加形成了发射极电流。;共发射极接法测试原理及输出特性;共发射极输入特性;BJT的参数;场效应晶体管（Field Effection Transistor）;【偏置电压Eg，交流小信号Us，漏极电阻Rd，直流电源Ed。 新号变化，Ugs使得Id改变。Rd两端电压成比例改变。 当Eg，Ed??Rd选取合适的值时，电路具有BJT一样的电压放大功能。;典型特性:输出特性曲线；转移特性曲线;MOSFET晶体管;Ugs=0，等效于共阳极二极管，B为阳极，SD为阴极，不论SD两端加什么电压都不会有电流产生。 当GS之间接上正压，Ugs被施加到衬底与栅极之间，会产生与P+衬底垂直的电场，当电场超过一定强度，会吸引较多的电子到P型硅的表面，在N+岛间形成到导电的N沟道。 这样S、D、N沟道一起与P衬底形成PN结，当漏极源极之间加正压为PN结反向截止，产生耗尽区，把它们与衬底隔离，并在不断的漏源极间的正压下形成漏极电流Id。 将刚开始出现N沟道的Ugs成为开启电压Ut;增强型MOSFET转移特性以及输出特性;耗尽型MOSFET