我校磁性掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3研究取得进展.doc

我校磁性掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3研究取得进展 近年来，拓扑绝缘体因其独特的物理性质及良好的应用前景在凝聚态物理和材料科学领域引起了广泛的研究兴趣具有非平庸的自旋和磁电特性，拓扑绝缘体有望在自旋电子学和拓扑量子计算等领域得到应用。要实现这些关键应用的先决条件是在中保持拓扑序的同时引入铁磁序或者超导序。通过引入铁磁序，观测到量子反常霍尔效应Comp. Phys. Comm. 183, 1849 (2012)】，并先后预言了在Half-Heusler化合物【Phys. Rev. Lett. 105, 096404 (2010); Phys. Rev. B 82, 235121 (2010)】和Chalcopyrite化合物【Phys. Rev. Lett. 106, 016402 (2011)】中存在大量的拓扑绝缘体材料，以及硅烯可能实现量子自旋霍尔效应【Phys. Rev. Lett. 107, 076802 (2011)】。此外，还预言了二元半导体InSb在合理的应变范围内可以转变成拓扑绝缘体【Phys. Rev. B 85, 195114 (2012)】。此外，姚裕贵教授应邀撰写了一篇综述文章，介绍了理论上寻找拓扑绝缘体新材料的一般方法，回顾了三维拓扑绝缘体材料方面的研究进展【Sci. China-Phys. Mech. Astron. 55, 2199 (2012)】。 在上述