上述半导体薄片称为霍尔元件.PPT

主讲：XXX 学校：XXX 项目六 霍尔传感器测量电机转速 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应（Hall Effect），该电动势称为霍尔电动势（Hall EMF），上述半导体薄片称为霍尔元件（Hall Element）。用霍尔元件做成的传感器称为霍尔传感器（Hall Transducer） 磁场 电能 磁敏传感器 基本工作原理 半导体材料中的自由电子及空穴随磁场改变其运动方向 式中 KH——霍尔元件的灵敏度 基本工作原理 霍尔属于四端元件，如图霍尔元件示意图所示，其中一对（即a,b端）称为激励电流端，另外一对（即c,d端）称为霍尔电动势输出端，c端和d端一般应处于侧面的中点。 由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电动势也就越高。霍尔电动势可用下式表示 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度θ时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即B cos? ，这时的霍尔电动势为 若电流和磁场同时改变方向时，霍尔电势方向不变 基本工作原理 霍尔电动势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电动势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电动势为同频率的交变电动势。 从上式可知 a）霍尔效应原理图 b）薄膜型霍尔元件结构示意图 c）图形符号 d）外形 基本工作原理 a） b） d） c） 目前常用的霍尔元件材料是N型硅，霍尔元件的壳体可用塑料、环氧树脂等制造。下图为霍尔元件外形图。 主要特性参数 输入电阻 恒流源作为激励源的原因：霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几十欧到几百欧，视不同型号的元件而定。温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，最终引起霍尔电动势变大。使用恒流源可以稳定霍尔原件的激励电流。 最大激励电流 激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高，从而引起霍尔电动势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至十几毫安。 a）外形 b）接近式 c）滑过式 d）分流翼片式 1－运动部件 2－软铁分流翼片 霍尔接近开关 用霍尔接近开关也能实现接近开关的功能，但是它只能用于铁磁材料，并且还需要建立一个较强的闭合磁场。 霍尔接近开关应用示意图如图所示。在该图中，磁极的轴线与霍尔接近开关的轴线在同一直线上。 a） b） d） c） a） b） d） c） a）外形 b）接近式 c）滑过式 d）分流翼片式 1－运动部件 2－软铁分流翼片 霍尔接近开关 当磁铁随运动部件移动到距霍尔接近开关几毫米时，霍尔接近开关的输出由高电平变为低电平，经驱动电路使继电器吸合或释放，控制运动部件停止移动（否则将撞坏霍尔接近开关）起到限位的作用。 霍尔接近开关 a） b） d） c） 在图 d中，磁铁和霍尔接近开关保持一定的间隙、均固定不动。软铁制作的分流翼片与运动部件联动。 霍尔接近开关 a） b） d） c） 当它移动到磁铁与霍尔接近开关之间时，磁力线被屏蔽（分流），无法到达霍尔接近开关，所以此时霍尔接近开关输出跳变为高电平。 改变分流翼片的宽度可以改变霍尔接近开关的高电平与低电平的占空比。 霍尔集成电路 霍尔集成电路（又称霍尔IC）的优点 1 体积小 灵敏度高 2 3 输出幅度大 温漂小 4 对电源稳定性要求低等 5 霍尔集成电路 线性型 开关型 霍尔集成电路 霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直接使用霍尔元件方便得多。 霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上 当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平 当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平 开关型霍尔集成电路的内部电路 霍尔集成电路（又称霍尔IC）的优点：体积小、灵敏度高、输出幅度大、温漂小、对电源稳定性要求低等。 OC门 施密特触发电路 双端输入、 单端输出运放 霍尔 元件 . Vcc 霍尔集成电路 线性型霍尔集成电路 a）外形尺寸 b）内部电路框图 线性型霍尔集成电路输出特性 霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路 a）外形尺寸 b）内部电路框图 开关型