La0.5Sr0.5CoO3多晶靶材制备工艺的研究 Study of Preparation of Polycrystalline Material of La0.5Sr0.5CoO3.pdfVIP

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La0.5Sr0.5CoO3多晶靶材制备工艺的研究 Study of Preparation of Polycrystalline Material of La0.5Sr0.5CoO3

第20卷第3期 机电产品开崖与剀新 VoI.20,No.3 至里QZ璺曼旦 里!!!塑竺!竺苎!!!!:坐竺兰竺竺!!竺!垒里些塑竺!!型!!!! 竺型:!至塑Z. La0.5Sr0.5C003多晶靶材制备工艺的研究 孙宗宝。孙亮 (昆明理工大学光电子新材料研究所,云南昆明650051) 摘要:采用半共沉淀法制得LSCo粉体,经900℃预烧,研磨,压片。在不同温度下对其烧结,通过 研究烧结体的xRD图谱,失重,吸水率并结合其粉体的DSC—TG曲线,确定其最佳的烧结温 度,制备出单一晶相,致密的LSCo靶材,为研究靶材的其它性能提供符合要求的原材料。 关键词:LSCo;多晶;共沉淀;靶材 中图分类号:TGll5文献标识码:A 文章编号:1002—6673(2007)03—023—03 对LSC0材料进一步的物理特性研究【12】。 0引言 国外制备LSCO粉体大多采用固相法.由于所用原 料的粒径较大不宜充分混合反应,因此采用固相法制备 ‰5s沁CoOs(LSCO)具有各向同性,良好的热稳定性 及较高的电子和离子传导性嘲,还有较低的电阻率(室 的粉体容易出现少量杂相,并且粒径较大,活性较低, 所需烧结温度很高,大约为1350qC【堋。 温下约为100斗ncm)嘲,其晶胞参数为o.3835nm。完全 化学计量比的LscO具有一定的导电性并呈现金属行 本文用半共沉淀法制备出粒径小,单一晶相的LC. 为M。这些性能与人们研究的铁电等功能材料十分接 SO多晶粉体。其烧结温度比前两种方法制得的粉体所 近。由于镧锶钴氧材料具有Pb基钙钛矿型铁电相匹配 需烧结温度低100℃~150℃。 的伪立方钙钛矿晶体结构,用其作电极能有效改善铁电 1实验 存储单元的疲劳特性。目前该材料已被应用在燃料电 池、气体传感器、氧渗透隔膜和铁电存储器的电极材料 1.1粉体的制备 等方面。在铁电非挥发性存储器的应用方面,LScO与 首先把原料经计算处理后,称取所需的La20,和Sr心O如 广泛应用钙钛矿结构的钛酸铅系列铁电薄膜在化学和晶 用适量稀HNO,溶解,并配制成混合溶液,用草酸氨作 体结构上都非常兼容。它具有优于YBCO的化学稳定沉淀剂,聚乙二醇作分散剂,并用氨水调其PH值在 性【删,能够明显改善铁电存储器的疲劳特性。因而, 9.3—9.7之间,在30℃的水浴中实现两种离子的共沉淀。 镧锶钴氧(Lsco)导电薄膜有着广泛的应用前景【n堋。在沉淀的同时,充分搅拌同时加入Co,0。粉体,直至沉 我们制备LSc0靶材的一个重要目的是用脉冲激光 淀完全为止,然后陈化12h,再分离沉淀物,在70℃下 沉积溅射(PLD)的方法将其制备成薄膜,以便更好的 研究其各种性能。张鹏翔等人首次发现,在铝酸镧倾I 24h,制得LsCO多晶粉体。 斜衬底上生长的LScO薄膜具有激光感生热电电压效 1.2靶材的制备 应。它具有比LcMO更快的响应时间,在高精度的激光 将上述方法制得的粉体.采用769YP一24B压片机。 功率计的研发上具有重要意义。三年前,杨芬等人发现 LScO薄膜对某些有毒或易燃气体(cO,NO,H:等) 具有较强的敏感性【11】。我们近来还发现其薄膜还有较 强的湿度敏感性,所有这些新发现使得LSc0在各种敏 1300℃下烧结24h.制得LSCO靶材。 感材料的复合应用上成为可能。另外,近几年发现的 1.3靶材的表征 LScO薄膜的巨磁阻效应,尽管不如LCMO的强烈,但1 人们观测到了LscO的负磁阻效应。这些都激发了人们 —— 收稿日期:20

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