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6.1 晶体生长基本过程 6.2 晶体生长的热量输运 6.3 晶体生长的质量输运 6.4 晶体生长与相平衡关系;6.1 晶体生长过程; 据热力学计算，当胚芽半径r大于晶核临界尺寸r0时，就可以稳定的继续长大，不会自行消失。因为当r＞＞ r0时，胚芽的自由能△F的改变就明显降低，且胚芽越大，△F越小。; 据均匀成核理论计算，水汽凝华的临界饱和比为4.4，水凝固的临界过冷度为40℃，某些金属凝固的临界过冷度达100~110 ℃。 实际上，成核的过冷度和过饱和度并不需要那么大。因为在通常的生长系统中总是存在不均匀的部位（如容器壁、外来的微粒等），它有效降低了成核时的表面位垒，使晶核优先在这些不均匀部位形成。 例如：人工降雨就是在饱和比不大又不能均匀成核的云层中，撒入碘化银细小微粒，就能形成雨滴。; 在区熔法制备单晶的过程中，固液界面的形状对杂散晶核的形成产生一定的影响。;6.1.2 晶体生长过程和形状;（1）过饱和度的影响： 溶液过饱和度超过某一临界值时，晶体的形态就会发生变化 （2）PH值的影响： 生长磷酸二氢胺时，PH↓，晶体细长，PH↑，晶体短粗 （3）杂质的影响： 晶面吸附杂质后单位表面能发生变化，使晶体法向生长速度发生变化，从而引起晶体形态的变化。;6.1.3 完整晶面生长; 面网密度对质点引力的关系; 完整晶面生长模型成功解释了晶核存在条件下，质点布满整个晶面的过程。若晶体要继续生长，需在完整晶面晶面上形成一个新的二维晶核做台阶源，然后质点沿其布满整个晶体。因此，新的二维晶核形成的难易决定了晶体生长速度。 通过对气相生长的观察，发现晶体表面常可见到涡旋状的生长图像，用准晶面生长即螺旋位错模型可以解释这种现象。;6.2 晶体生长的热量输运;二、热损耗和稳定温度 单位时间内向环境传输的热量称为热损耗。 热损耗的大小取决于发热体和环境温度间的差值：正比。即：炉温↑，发热体和环境温度差值↑，热损耗↑。 发热体所能达到的最高温度通常与加热功率成正比。 当热损耗的大小与加热功率相等时，炉内热量交换达到平衡，发热体的温度不再随时间而变化，为稳定温度。 为提高发热体可能达到的稳定温度，须尽量减小热损耗。方法：在发热体和环境之间放置保温层。;熔化潜热10瓦; 当炉膛内热交换达到平衡，且发热体的加热功率和各种热损耗都保持不变时，炉膛内各点都有一个不随时间变化的确定温度，这种温度的空间分布称为温场。 保持合适的温场是获得高质量晶体的前提条件。 温度相同点连成的曲线称等温线； 温度相同点连成的曲面称等温面。等温线永不相交；等温面永不相交。;ω= 0r/min; 温度为凝固点的等温面是固体和液体的分界面，称固液界面。 提拉法生长晶体过程中，固液界面的形状除受晶体的提拉速度、旋转速度和晶体尺寸等因素影响外，主要取决于界面处热量输运情况。一般会形成凹形、凸形、和平坦形三种。; 过等温面上任一点做该点法线，沿此法线单位长度的温度变化称为该点的温度梯度。;6.2.2 液流效应 液流效应亦称流体效应，即流体运动状态对晶体生长的影响。;0转/分; 在固体-流体系统中，靠近固体表面的一个极薄液体层内，溶质的浓度、速度、温度均有较大变化，该薄层称为边界层。 1. 速度边界层;2. 溶质浓度边界层;3. 温度边界层;６.3.1 分凝系数 在晶体生长过程中，固相、液相中的溶质平衡浓度Cs和CL可能不同，其比值K0为常数： K0＝Cs/CL ;液相线;6.3.3 生长层 将晶体沿其生长方向剖开，可看到一些有规律的条纹，称生长层或生长条纹。 生长层是晶体内溶质浓度变化的薄层，其形状和固液界面形状相同，它是一种宏观的晶体缺陷，会破坏晶体各种物化性能的均匀性。 出现生长层的原因在于：机械振动、流体效应、加热功率及热损耗的不稳定。;6.3.4 界面的稳定性;1. 温度梯度对界面稳定性的影响; （a）过热熔体：熔体温度T1高于固液界面温度即凝固点Tm，为正温度梯度。即使偶然因素引起凸缘，深入处于高温区(T1Tm)的熔体内部，使其尖端生长速度迅速下降，或被后面固液界面追及或被熔化，因而凸缘消失，界面光滑稳定。 （b）过冷熔体：负温度梯度，尖端处于低温区(T1Tm)，因而生长速度更高，凸缘越来越大，使原本光滑的界面出