稳定低功耗CMOS延时电路.pdfVIP

维普资讯 电子 测 量 技 术 ·2004年 第 三 期 ·11· 稳定低功耗 CMOS延时电路 王 俭 汪东旭 上海交通大学 摘 要 文章提出一种稳定的低功耗回 0s延时电路结构。在 06闸流晶体管概念的基础上，延时值可以通过控制电 流在很大的范围内变化。相比较于传统的RC延时电路以及基于倒向器的延时电路，这种结构对电源和温度变化的敏感度更 小，更稳定。 关键词 延时电路 闸流晶体管 恒流源 A Stable．Low．PowerCM OSDelayCircuit WangJian WangDongxu Abstract Astable，low-tx)werdissipationCMOSdelaycircuitispmpc~d．BasedonaCMOSthyfistorconcept，thedelayval— ueofthe circuitcanbevariedoverawiderangebyaocntrolcurrent．The designde delayvalueislesssensitivetOsupplyvoltageand temperaturethanRC-basedorCMOSinverter—baseddelaycircuit． Keyworfls delaycircuit thyrisotr currentsource 1 cMoS闸流 晶体管概念 沿信号进行延 时 ，则我们可 以采用上述 简单 电路的 互补 电路形式 ，原理分析同上 。通过简单分析 ，上 图1是 CMOS闸流晶体管概念 电路图。当 述 电路 的延时值可通过 下式计算 ： Ptrig充电至 VDD以及 Ntrig放电至 GND，整个闸 2C2 流管被关闭。闸流管可以通过 Ptrig或者 Ntrig的 ～ ~ ／6C． ㈩ … 电压被触发。假设Ptrig是触发节点，在Ptrig电压小 其 中下标 1是表示驱动晶体管 ，下标 2是表示被驱 于VDD-Vtp之前，M1管仅仅通过亚阈值电流，这个 动的晶体管 ；C是节点 QN 和 Q 的对地 电容 。t中 值很小可以忽略。一旦M1被打开，VDD通过 M1向 前面两部分值很大 ，主要受 电流控制 以及环境温度 Ntrig充电，这样M2被打开，Ptrig通过M2放电。这 影响 。虽然最后一部分受电源 电压影响 ，但其值很 小 ，所 以对整个 电路来说受温度和 电源影 响 比较 种在打开过程中的正反馈机制，使得状态快速发生 小 。电流越小 ，延 时的值越大 ，受 电源 电压 的影 响 变化，从而减小了动态功耗。注意没有 电流从VDD 越小 。 直接流向GND．而且由于该电路中不存在任何堆叠 图2所示 的电路结构还并不完整 ，因为它 只能 的结构，所以甚至可以工作在1V的低电压电路中。 接受一次触发 。一旦