Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破.pdfVIP

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  • 2017-08-10 发布于上海
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破.pdf

Ⅲ一V族化合物半导体整体多结级连太阳电池 ——光伏技术的新突破 陈文浚 带电子激发到导带,不能对光生电流产生贡献,这构成了光电 转换中的电流损失。而能量高于半导体带隙宽度的光子只能 将一个电子激发到导带,把与带隙宽度相当的能量传给光生 载流子,多余的能量则将以声子的形式传给晶格,变成热能, 构成光电转换中所谓的电压损失。因此,若选择窄带隙半导 体,则太阳电池的短路电流密度高而开路电压低;若选择宽带 隙半导体,则太阳电池的开路电压高而短路电流密度低。顾此

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