超／特高压变压器套管端部试验用双环结构均压环设计 Design of the Dual-ring-structure Grading Ring on Top of the EHVUHV Transformer Busing for Test Use.pdfVIP

高电压技术 第 37卷 第 7期 2011年 7月 31日 HighVoltageEngineering，Vo1．37，No．7，July31，201l 超 ／特高压变压器套管端部试验用双环结构均压环设计 王 晶 ，梁曦东 ，朱士全。，朱明峰 ，潘 文。 (1．清华大学电机工程与应用电子技术系，北京 100084；2．-常州东芝变压器有限公司，常州213012) 摘 要 ：为了避免对局放测量产生干扰 ，应控制均压环表面最大场强 E… ，使其不起晕 。以常州东芝变压器有限 公司正在研发的±500kV换流变 阀侧 Y绕组套管端部试验用均压环 的设计为例 ，探究了双环结构均压环 的3个 尺寸参数——环径 D、管径 d和两环 中心距 H 对均压环表面最大场强的影响，并推荐 _『超 ／特高压变压器套管端 部双环结构试验用均压环设计的一般步骤 。最后 ，探讨 了均压环的安装位置对其屏蔽效果的影 响。研究结果表 明，3个尺寸参数中，对均压环表面最大场强起决定作用的是 d，最大场强随着 d的增大而降低 ，D和 H对最大场强 的影响不显著；并且当套管端部位于均压环轮廓线所围区域 的中央时，套管端部场强最低 ，均压环的屏蔽效果最好。 关键词 ：超 ／特高压 ；变压器 ；双环结构 ；均压环 ；局放测量 ；电晕 中图分类号 ：TM854 文献标志码 ：A 文章编号 ：1003—6520(2011)07—1642—07 DesignoftheDual—-ring--structureGradingRingonTop oftheEHV／UHVTransformerBusingforTestUse WANG Jing ，LIANG Xi—dong ，ZHU Shi—quan。，ZHU M ing—feng ，PAN Wen (1．DepartmentofElectricalEngineering，TsinghuaUniversity，Beijing100084，China； 2．ChangzhouToshibaTransformerCo．，Ltd．，Changzhou213012，China) Abstract：InordernottodisturbthemeasurementofPDIthemaximum electricfieldintensity{E )onthesurface ofgradingringsmustbecontrolled，SOthatthecoronawillnotbegenerated．W eintroducedthedesignprocessof gradingringsused inthe± 500 kV convertertransformerwhich wasunderdevelopmentbyChangzhouToshiba TransformerCo．，Ltd，andresearchedtheeffectofthethreemaingeometricparameters，suchastheringdiameter D ，thecrosssectiondiameterd，andthedistancebetweentworingsH ，onE … Thenwerecommendedageneral procedureofdesigningthedual—ring—structuregradingrings．Finally，wediscussedtheshieldingeffectivenessofthe gradingringsunderdifferentinstallationlocation．Theresultsshow that，ofthethreemaingeometryparameters，d playsadecisiveroleincontrollingE… onthesurfaceofgradingrings，andEmaxlowersasdbecomeslager．H