采用全对称测试结构的超薄单晶硅薄膜热导率测亮 Measurement of Thermal Conductivity of Ultra-Thin Single Crystal Silicon Film Using Symmetric Structure.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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采用全对称测试结构的超薄单晶硅薄膜热导率测亮 Measurement of Thermal Conductivity of Ultra-Thin Single Crystal Silicon Film Using Symmetric Structure.pdf

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第卷第期半导体学报 27 11 Vol.27 No.11 年月 9 2006 11 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Nov. 2006 采用全对称测试结构的超薄单晶硅薄膜热导率测量% 张皓吕志超田立林谭志敏刘理天李志坚T 清华大学微电子研究所9 北京 100084 摘要!改进了传统稳态加热法的测试结构9设计了带隔离槽的全对称悬空薄膜测试结构9并使用有限元工具对测试结构进行了优化测量了室温下和厚度的单晶硅薄膜的横向热导率9分别为和 9其相 . 50 80nm 32 38W m K 对体硅热导率有明显下降9实验结果与的理论预测曲线吻合 148W m K BTE Bolt mann trans ort e uation P ] 得很好. 关键词!超薄单晶硅薄膜热导率稳态加热法 S PACC 6500 6860 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN304 A 0253-4177 2006 11-1961-05 1 引言当今9单晶硅薄膜被广泛应用于深亚微米器件例如 UTB MOSFET 双栅 MOSFET 等 1 和 MEMS 中9超薄单晶硅薄膜的热输运性质将直接影响这些器件的工作性能和可靠性由于硅薄膜的热. 2 5 导率和体硅不同 ~ 9精确测量单晶硅薄膜的热导率不仅具有重要的实际意义9而且对于了解纳米尺度下传热的物理机制也有重要的作用 6 . Ashe hig 成功测试了厚度为 3 m9温度从 15K # 到300K9掺杂浓度从 11017 到 31019 cm-3 分别掺硼和磷的硅薄膜的横向沿薄膜平面方向热导率9并且给出了解析模型2 .zheng 测试了厚度为 9掺硼浓度为 15 -3 的