高压耦合高功率脉冲磁控溅射的增强放电效应.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 18 (2014) 185207 高压耦合高功率脉冲磁控溅射的增强放电效应 吴忠振 田修波 潘锋 Ricky K. Y. Fu 朱剑豪 1)(北京大学深圳研究生院新材料学院, 深圳 518055) 2)(哈尔滨工业大学, 先进焊接与连接国家重点实验室, 哈尔滨 150001) 3)(香港城市大学物理与材料科学系, 九龙) ( 2014 年3 月25 日收到; 2014 年5 月13 日收到修改稿) 等离子体源离子注入与沉积技术作为一种可生产高结合力、高致密度涂层的真空镀膜技术, 具有广阔的 应用前景, 尤其适用于高载荷工况下服役的功能涂层制备. 该技术中金属等离子体源是关键, 而现有的脉冲 阴极弧源结构复杂, 且由于伴随“金属液滴” 而需要增加过滤装置. 本文研究了另一种简单结构的金属等离子 体源备选—–高功率脉冲磁控溅射源(HPPMS) 的放电特性, 采用等离子体发射光谱仪探索了不同的耦合高 压对HPPMS 放电靶电流特性和等离子体特性的作用. 发现耦合高压对HPPMS 放电有明显的促进作用, 相 同靶电压下的放电强度大幅增加, 相对于金属放电, 耦合高压对气体放电的促进作用更加明显, 但在自溅射为 主的高压放电阶段对金属放电的促进作用明显增强. 讨论了耦合高压对HPPMS 放电的增强机制, 发现耦合 高压自辉光放电、耦合高压和HPPMS 电压构成双向负压形成的空心阴极效应, 以及耦合高压鞘层改善的双 极扩散效应都对HPPMS 放电的增强有明显作用. 关键词: 高功率脉冲磁控溅射, 耦合高压, 放电靶电流, 等离子体发射光谱 PACS: 52.80.–s, 52.25.Jm, 52.70.–m, 52.70.Ds DOI: 10.7498/aps.63.185207 8 大降低 . 1 引 言 磁控溅射技术最初采用直流供电模式, 并作 为一种无大颗粒产生的低温沉积技术被广泛应用 等离子源离子注入技术最早是由美国Conrad 在工业生产中, 但其溅射材料离化率很低, 故而 1 教授 在1987 年提出的, 后来在此原理上, 人们结 无法用于进行离子注入与沉积. 然而1999 年, 瑞 合了各种离子源, 通过离子源与高压的匹配, 提出 典Kouznetsov 等9 提出高功率脉冲磁控溅射技术 了针对几乎所有金属、气体、甚至化合物离子的注 23 (HPPMS), 该技术利用较高的脉冲峰值功率和较 入与沉积技术 . 目前, 该技术已经被广泛地应 用在活塞、冲头等工、模具工件的表面改性上, 用 低的脉冲占空比来产生高的溅射材料离化率, 同 10 11 来注入与沉积具有一定厚度且结合良好的各种薄 时具有等离子体密度高 、离子能量高 、离子 46 12 13 膜