0.18μm CMOS工艺5 GHz WLAN功率放大器设计 Design of a 0.18 μm CMOS Power Amplifier for 5 GHz Wireless LAN System.pdfVIP

第32卷第3期 电子工童师 V01．32No．3 2006年3月 ELECTRONICENGINEER Mar．2006 0．18 GHz CMOS工艺5 tan 杨柯，王志功，李志群 (东南大学射频与光电集成电路研究所，江苏省南京市210096) GHz 摘 要：介绍采用TSMC公司的0．18CMOS工艺应用于5 txm WLAN(无线局域网)发射集中 的功率放大器的设计方法，并给出了仿真结果。电路采用A类三级放大结构，在3．3V工作电压下， 802．11a 增益为23．7dB，1dB压缩点输出功率21．8dBm，最大功率附加效率15％，可望用于WLAN 标准的系统中。 关键词：功率放大器；无线局域网；CMOS；射频集成电路 中图分类号：TN47；TN722．7 0引言 近年来，随着无线网络在技术上的成熟、产品种类 不断增加、成本不断下降，无线网在全世界有了很大的 发展。WLAN(无线局域网)，是一种利用无线方式，提 供无线对等(如Pc对Pc、PC对集线器或打印机对集 图1发射机结构框图 线器)和点到点(如LAN(局域网)到L气N)连接性的 本文所设计的WLAN发射机采用二次变频方案， 数据通信系统。其中，工作在5GHz频段上的WLAN 一次变频的本振L01频率为1GHz，二次变频的本振 系统已经成为世界研究的热点。由于CMOS工艺特征 L02频率为4 尺寸的不断缩小，使其应用于设计以往只能采用 器后，首先混频到lGHz，然后与L02混频到5GHz， BiCMOS、SiGe和GaAs工艺实现的电路成为可能。本 文介绍WLAN系统组成和其中的关键模块——功率通过VGA(可变增益放大器)后，送到功率放大器进行 放大器电路的设计。 放大，最后从天线发射出去。 GHz 根据IEEE802．11a协议，5WLAN系统采用 1 WLAN无线通信系统和发射机结构 正交频分复用调制方式，调制后的信号是非恒包络的， 对系统的线性度要求较高，所以必须采用线性功率放 1999年，IEEE制定了两个无线网络通信的标准， 大器。线性功率放大器主要分为A类、B类、介于两 分别命名为802．11a和802．1lb。其中802．1la工作 GHz Na— 类之间的AB类以及C类功率放大器。由于A类功率 于5GHz频带，它应用了5 U—NII(Unlicensed 放大器具有较好的线性度，所以在本次设计中采用A tionalInformation Infrastructure)频段中300MHz频段。