Design by WuxiTest 组件认证测试过程的典型失效情况Design by .PPTVIP

湿热试验：封装工艺不到位，接插件耐候性不强，密封水质量不过关或密封不好； TC200：电池片焊接工艺，封装工艺存在问题，质控不到位； 热斑试验：电池片一致性较差，焊接不过关，二极管安装存在问题；电池不匹配或裂纹，内部链接失效，局部被遮光或弄脏均会引起这种缺陷。 旁路二极管：选型不匹配，质量不过关； 湿漏电试验：封装工艺存在问题，接插件或接线盒安装质量太差后直接渗漏。 …… IEC标准和UL标准认证测试中的主要失效原因 社会服务—组件质量分析 关于IEC重测导则 在根据IEC61215和IEC61730进行测试认证的过程中，牵涉到新材料，工艺的报备，同系列不同型号产品之间的材料差异等，则需要检测实验室重测以取得或保持产品认证。IECEE基于IEC61215和IEC61730的重测导则就为不同的材料或工艺变更提供了CB实验室重测的指导性意见。 《导则》同时也成为各认证机构进行组件认证单元划分，具体测试方案制定的基础性文件。 《导则》所指出的变更主要包括如下几个方面：电池技术，封装系统，上盖板，组件尺寸，底层材料，框架和/或安装结构，接线盒/电气引线端，电池连接材料或技术，相似封装中电路，10%功率偏差，有框组件到无框组件等的变化。 社会服务工作 新版IEC61215和IEC61215：2005的主要区别 增加了对功率的判定； 增加了重测导则； 热斑试验将会有大的变化； 部分项目保持和IEC61646:2008一致： 湿冻试验温度变化阶段的湿度不再做要求； 湿漏电试验所用溶液的表面张力不再做要求； 紫外预处理试验波长和辐照量要求作了一定变化； （* Refer to CTL decision sheet from IECEE Website,参考IECEE网站CTL决议单） 社会服务—关于新版标准 金太阳示范工程的基本要求 系统集成要求 网光伏发电项目符合《光伏电站接入电网技术规定（试行）》的要求。 并网光伏发电项目须配置现地数据采集系统，能够采集项目的各类运行数据，并按规定的协议通过GPRS/CDMA无线通道、电话线路或Internet公众网上传。 系统整体质保期不低于2年。 支持在光伏系统中采用新产品和新技术。 金太阳示范工程基本要求 关键设备要求——组件 晶体硅组件最高限价14元/峰瓦，非晶硅薄膜组件最高限价9元/峰瓦。 单晶硅组件效率不低于15%，多晶硅组件效率不低于14%，非晶硅薄膜组件效率不低于6%。 组件使用寿命不低于25年。 晶体硅组件衰减率2年内不高于2%、10年内不高于10%、25年内不高于20%；非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于4%、10年内不高于10%、25年内不高于20%。 晶体硅和非晶硅薄膜组件须分别按照GB/T9535（或IEC61215）和GB/T18911（或IEC61646）标准要求，通过国家批准认证机构的认证。 组件整体质保期不低于5年，功率衰减质保期不低于25年。 采用化合物薄膜、聚光等新型太阳电池技术须有成功案例。 金太阳示范工程基本要求 关键设备要求——并网逆变器 单相逆变器最高限价5元/瓦；三相逆变器最高限价3元/瓦。 最大逆变效率不低于94%。 平均无故障时间不低于5年，使用寿命不低于20年。 须按照CNCA/CTS0004:2009认证技术规范要求，通过国家批准认证机构的认证。 单相逆变器质保期不低于5年；三相逆变器质保期不低于2年。 金太阳示范工程基本要求 关键设备要求——独立逆变器 最高限价为3元/瓦。 直流电压等级不低于48V。 功率不低于5kW。 正弦波输出，波形失真度不低于5%。 逆变效率不低于85%。 整机质保期不低于2年。 平均无故障时间不低于3年，使用寿命不低于12年。 按照GB/T19064标准要求，通过国家批准认证机构的认证。 金太阳示范工程基本要求 关键设备要求——独立控制器 最高限价为2元/瓦。 直流电压等级不低于48V。 功率不低于5kW。 平均无故障时间不低于3年，使用寿命不低于12年。 按照GB/T19064标准要求，通过国家批准认证机构的认证。 整机质保期不低于2年。 金太阳示范工程基本要求 关键设备要求——控制逆变一体机 最高限价为4元/瓦（以逆变部分容量确定）。 直流电压等级为24V。 逆变效率不低于80%。 平均无故障时间不低于3年，使用寿命不低于12年。 按照GB/T19064标准要求，通过国家批准认证机构的认证。 整机质保期不低于2年。 金太阳示范工程基本要求 关键设备要求——用于独立光伏系统的铅酸蓄电池 最高限价为1.3元/瓦时。 直流电压等级为2V、12V。 正常使用期限不低于5年。 产品性能符合太阳能光伏发电系统的使用特点，通过国家批准认证机构的认证。 质保期不低于2年。 金太阳示范工程基本要求 总结