现代新型材料与纳米材料-第七讲-信息材料.ppt

* 在减薄磁层厚度的同时获得足够高的输出电压，须采用连续薄膜型介质。 连续型磁性薄膜与涂布型非连续磁性介质性能比较 介质特性 磁粉涂布型介质 连续膜介质 矫顽力/(A/m) 660 900 剩磁感应强度/T 0.125 0.65 磁层厚度/μm 5.0 0.1 矩形比 0.8 0.9 0.75MHz时射频输出/dB 0 -1 4.5MHz时射频输出/dB 0 -17 * 光存储材料 将要存储的信息、模拟量或数字量，通过调制激光聚焦到记录介质上，使介质的光照微区发生物理或化学的变化实现记录，这就是信息的写入。 读出信息时，低功率密度的激光扫描信息轨道，反射光通过光电检测器检测、解调取出所要信息。 存储光盘 * 光存储材料是由记录介质层、反射层以及保护层等构成的、具有光学匹配的多层结构。 多层膜通常用物理或化学的方法沉积在衬盘上。 在衬盘上沉积了光存储材科的盘片称为光盘。 存储光盘 * 光盘存储材料特点 光盘存储优点： 高存储密度：普通光盘单面可存储640兆字节；高密度DVD光盘容量在8G以上。 非接触式读、写信息：非接触式读、写，不会让光学头或盘面磨损、划伤，并能自由更换光盘。 长存储寿命：磁盘存储的信息一般为2-3年，光盘存储的信息寿命至少在10年以上。 低信息位价格：光盘易于大量复制，容量大，因此存储单位信息的价格低廉。 * 只读存储光盘的记录介质是光刻胶。 将音频、视频调制的激光聚焦在洒有光刻胶的玻璃衬底上，经曝光显影使曝光部分脱落，制成具有凹凸信息结构的正像主盘。利用喷镀技术，在主盘表面生成一层金属负像副盘，与主盘脱离后可作原模，复制只读光盘。 只读式CD和DVD表面凹坑结构示意图 只读存储光盘材料 * 一次写入光盘材料 一次写入光盘利用聚焦激光在介质的记录微区产生不可逆的物理化学变化写入信息。 烧蚀型：写入激光的光强具有高斯分布，中心温度高于介质熔点Tm，其余部分温度低于介质熔点。中心光照部分的介质微区熔融，表面张力将其拉开；撤去脉冲，孔缘冷凝形成带有信息结构的凹坑，实现对信息的记录。 烧蚀性信息凹坑的形成 * 起泡型：由高熔点金属与聚合物两层薄膜制成。光照使聚合物分解排出气体，形成气泡使聚合物膜面隆起，与周围形成反射率差异，实现反差记录。 熔绒型：用离子束刻蚀硅表面，形成绒面结构，光照微区使绒面熔成镜面，实现反差记录。 相变型：光照微区发生结构相变，利用两相反射率的差异鉴别信息。 一次写入光盘 * 可擦重写磁光光盘材料 稀土-钴合金，如GdCo、TbCo、GdTbCo和GdTb-FeCo等，目前已用来制成可擦写磁光光盘； 稀土-铁合金，如GdFe、TbNiFe、GdTbFe等。 磁光盘读、写、擦原理 * 写入信息前，用强磁场对GdCo介质进行初始磁化，使各磁畴单元具有相同的磁化方向。 写入信息时，磁头的写入脉冲激光聚焦在介质表面，光照下介质矫顽力因温升迅速减小，此时通过磁光头中的线圈施加反偏磁场，使光照微区反向磁化。 撤去写入脉冲和反偏磁场，介质中无光照部分的磁化强度保持原来方向，实现磁化方向的反差记录。 信息写入 可擦写光盘 * 信息读出 利用Kerr磁光效应检测记录单元的磁化方向。 1877年，Kerr发现用直线偏振光射到向上磁化的介质，反射后，偏振面会绕反射线向右旋转一定角度；角度一般只有0.3-0.5．称为Kerr角。 读取信息时，磁头中的起偏器产生偏振光扫描信息轨道，然后通过检偏器检测各单元磁化方向。 Kerr磁光效应 * 信息擦除 擦除信息时，用原来的写入激光照射信息道，并施加与初始方向相同的偏磁场，记录单元的磁化方向又会复原。 清华同方可擦写光盘 * 利用记录介质在晶态和非晶态之间的可逆相变也可以实现光盘信息的反复可擦重写: 信息写入：对应高功率的激光热效应，晶态介质快速凝固后从晶态转变成非晶态； 信息读出：对应低功率的激光热效应，非晶介质中的相结构不发生变化； 信息擦除：对应中功率的激光热效应，非晶介质成核生长，从非晶态转变成晶态。 * 以下是近几年国外公司所用的相变介质。 IBM：可擦重写—Sb2Se； 菲利浦：可擦重写—InSbTe，InSbSe、InSb； 松下：可擦重写—Ge2Sb2Te5、Ge2Sb2Te4；直接擦写—GeTe-Sb2Te3-Sb； 日立：可擦重写—InSeTl、InSeSn；直接重写—1nSeTl、GeTe-Sb2Te3Co； Sony公司生产的可擦写光盘 * 信息处理材料 * 信息处理材料是指用于对电信号或光信号进行检波、倍频、混频、限幅、开关、放大等信号处理的一类信息材料， 主要有Si、Ge等半导体材料，GaAs系列、InP系列、GaN系列半导体材料，SiO2等氧化物材料，微波铁氧体材料等。 半导体材料和器件 * 常温半导体 Si是单一元素半导体，具有力学强度高，