电工电子技术--逻辑门电路.ppt

结构示意图 20.5.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 P型硅衬底 源极S 漏极D 栅极G 衬底引线B 耗尽层 1. 结构特点和工作原理 N+ N+ 正离子 N型沟道 SiO2 D B S G 符号 制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。 * * * 20.2 分立元件门电路简介 20.3 TTL集成门电路 20.4 CMOS门电路 第20章 逻辑门电路 20.1 晶体管的开关作用 20.2.1 二极管的开关作用 门电路是实现一定逻辑关系的电路，是组成数字 电路的基本单元，本章重点介绍集成门电路的逻辑 功能及外部特性。 20.1 晶体管的开关作用 UD D UD 0 时， D导通 D UD0 时， D截止 D 开 关 20.2.2 三极管的开关特性 NPN型硅三极管的三种工作特性归纳如下表 放大 饱和 截止 发射结 集电结 UBE UCE IB 正偏 正偏 反偏 正偏 反偏 反偏 VCC – ICRC VCES ? 0.3V ? VCC 0.6V 0.7V ≤0 IC / ? ? 0 ICS ? —– ? —— VCC RC ? ICS ? –— ? —— VCC RC ? IB IBS = 饱和条件 20.2.2 三极管的开关特性 UCE IB VCC – ICRC UCES ? 0.3V ? VCC IC / ? ? 0 ICS ? –— ? —— VCC RC ? 饱和时CE之间近似为短路 UCE=UCES ? 0.3V 开 截止时CE之间近似为开路 UCE=VCC (IC=0 ) 关 ? +12V Rc T Rk A UCE 20.2.1 分立元件门电路简介 1.二极管与门电路 +12V A B C DA DB DC 设 uA=0，uB= uC=3V 则 DA优先导通 uY= 0.3V Y= 0 uY=0.3V Y DB、DC 截止 20.2 分立元件门电路简介 R 设二极管管压降为0.3伏 +12V A B C DA DB DC 设 uA= uB= uC= 0 DA、DB、DC 都导通 Y= 0 uY=0.3V Y uY= 0.3V R 1.二极管与门电路 设 uA= uB= uC= 3V uY= 3.3V， Y= 1 +12V A B C DA DB DC uY=3.3V Y DA、DB、DC 都导通 R 1.二极管与门电路 +12V A B C DA DB DC Y 由以上分析可知： 只有当A、B、C全为 高电平时，输出端才 为高电平。正好符合 与门的逻辑关系。 Y=ABC A B C Y R 1.二极管与门电路 设 uA= 3V，uB= uC= 0V 则 DA导通 uY=3–0.3= 2.7V DB 、DC 截止， Y=1 DA –12V Y A B C DB DC uY=2.7V 2.二极管或门电路 R DA Y A B C DB DC 设 uA= uB= uC= 3V DA 、DB、DC 都导通 uY=2.7V uY= 2.7V，Y=1 R 2.二极管或门电路 –12V DA Y A B C DB DC 设 uA= uB= uC= 0V DA、 DB、DC 都导通 uY= – 0.3V uY= – 0.3V， Y= 0 R 2.二极管或门电路 –12V DA Y A B C DB DC Y= A+B+C 由以上分析可知： 只有当A、B、C全为 低电平时，输出端才 为低电平。符合或门 的逻辑关系。 R Y A B C 1 2.二极管或门电路 –12V 3. 非门电路 设 uA= 3V, T 饱和导通 +12V +3V D Rc T –12V RB Rk A Y uY=0.3V uY= 0.3V, Y= 0, D 截止 设 uA= 0V， T截止 ，D导通 A 1 Y Y = A ? +12V +3V D Rc T –12V RB Rk A Y uY=3.3V ? uY= 3.3V ，Y= 1 当 A为低电平时，输出端为高电平。当 A为高电平时，输出端为低电平。正好符合非门的逻辑关系。 由以上分析可知： T1等效电路 C1 20.3.1 TTL与非门的基本原理 20.3 TTL集成门电路 +5V A B C T1 R1 R2 T2 T3 T4 T5 R3 R5 R4 Y B1 +5V A B C R1 B1 C1 +5V A B C T1 R1 R2 T2 T3 T4 T5 R3 R5 R4 uo (Y) 设 uA= 0.3V 则 VB1= 0.3 +