02 第二章 真空蒸发镀膜法.doc

第二章 真空蒸发镀膜法 真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法。采用这种方法制造薄膜，已有几十年的历史，用途十分广泛。近年来，该法的改进主要是在蒸发源上。为了抑制或避免薄膜原材料与蒸发加热器发生化学反应，改用耐热陶瓷坩埚。为了蒸发低蒸气压物质，采用电子束加热源或激光加热源。为了制造成分复杂或多层复合薄膜，发展了多源共蒸发或顺序蒸发法。为了制备化合物薄膜或抑制薄膜成分对原材料的偏离，出现了反应蒸发法等。 本章主要介绍蒸发原理、蒸发源的发射特性、膜厚测量与有关蒸发的工艺技术。 §2-1 真空蒸发原理 一、真空蒸发的特点与蒸发过程 一般说来，真空蒸发（除电子束蒸发外）与化学气相沉积、溅射镀膜等成膜方法相比较，有如下特点：设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快、效率高，用掩模可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。这种方法的主要缺点是，不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不够好等。 图2-1为真空蒸发镀膜原理示意图。主要部分有：（1）真空室，为蒸发过程提供必要的真空环境；（2）蒸发源或蒸发加热器，放置蒸发材料并对其进行加热；（3）基板，用于接收蒸发物质并在其表面形成固态蒸发薄膜；（4）基板加热器及测温器等。 真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程： （1）加热蒸发过程。包括由凝聚相转变为气相（固相或液相→气相）的相变过程。每种蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压；蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。 （2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输支，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由程，以及从蒸发源到基片之间的距离，常称源—基距。 （3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。由于基板温度远低于蒸发源温度，因此，沉积物分子在基板表面将直接发生从气相到固相的相转变过程。 上述过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行。否则，蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。 二、饱和蒸气压 在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出的压力称为该物质的饱和蒸气压。此时蒸发物表面液相、气相处于动态平衡，即到达液相表面的分子全部粘接而不离开，与从液相到气相的分子数相等。物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大，在一定温度下，各种物质的饱和蒸气压不相同，且具有恒定的数值。相反，一定的饱和蒸气压必定对应一定的物质的温度。已经规定物质在饱和蒸气压为10-2托时的温度，称为该物质的蒸发温度。 饱和蒸气压Pe与温度T之间的数学表达式，可从克拉伯龙-克劳修斯（Clapeylon Clausius）方程式推导出来 （2-1） 式中，He为摩尔气化热或蒸发热（J/mol）；Vg和Vs分别为气相和固相或液相的摩尔体积（cm3）；T为绝对温度（K）。 因为VgVs，并假设在低气压下蒸气分子符合理想气体状态方程，则有 ， （2-2） 式中，R是气体常数，其值为8.31×107erg/K·mol。故方程式（2-1）可以写成 （2-3） 亦可写成 如果把Pe的自然对数值与1/T的关系作图表示，应该是一条直线。 由于气化热He通常随温度只有微小的变化，故可近似地地把He看作常数，于是式（2-3）求积分得 （2-4） 式中C为积分常数。式（2-4）常采用常用对数表示为 （2-5） 式中，A、B为常数，A = C /2.3，B = He/2.3R，A、B值可由实验确定。而且在实际上Pe与T之间的关系多由实验确定。且有He = 19.12B（J/mol）关系存在。式（2-5）即为蒸发材料的饱和蒸气压与温度之间的近似关系式。对于大多数材料而言，在蒸气压小于1托（133帕）的比较窄的温度范围内，式（2-5）才是一个精确的表达式。 表2-1和图2-2分别给出了常用金属的饱和蒸气压与温度之间的关系，从图2-2的lgPe~1/T近似直线图看出，饱和蒸气压随温度升高而迅速增加，并且到达正常蒸发速率