内光电效应.PPT

第2章 光电效应 二、内光电效应 1、光电导效应 本征光电导 在本征半导体中，电子未获得其它能量之前处于基态，价带充满着电子，导带没有电子，而因晶体缺陷产生的能级又不能激发自由电子时，则这些材料的电阻是较大的。但是，如果这些材料内的电子受到一种外来能量如光子的激发，且这种激发又能使电子获得足够的能量越过禁带而跃入导带的话，则材料中就会产生大量的电子及空穴(光生载流子)参与导电，因而材料的电阻就相应减少。这是由本征光吸收所引起的光电导效应。 第2章 光电效应 二、内光电效应 杂质光电导 在掺杂半导体中，除了本征光电导外，还存在杂质光电导。对P型半导体来说，由于其受主能带靠近价带，所以价带中的电子很容易从光子吸收能量跃入受主能带，使价带产生空穴参与导电。对N型半导体来说，由于其施主能带靠近导带很近，所以施主能带中的电子很容易从光子获得足够的能量进入导带而参与导电。这是由杂质吸收所产生的杂质光电导效应。 第2章 光电效应 二、内光电效应 微弱辐射作用下： 强辐射作用下： 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导与入射辐射通量 成线性关系。 光电导灵敏度为与材料性质有关的常数，与光电导材料两电极间长度 的平方成反比。为提高光电导灵敏度 ，需要将光敏电阻的形状制造成蛇形。 强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系呈抛物线关系。 在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关，而且与入射辐射通量有关，是非线性的。 第2章 光电效应 二、内光电效应 2、光生伏特效应 半导体PN结示意图 PN结的能带结构 当P型与N型半导体形成PN结时，内建电场的方向由N指向P。当入射辐射作用于PN结区时，本征吸收产生的光生电子与空穴将在内建电场力的作用下做漂移运动，电子被内建电场拉到N区，而空穴被拉到P区。结果P区带正电，N区带负电，形成伏特电压。 第2章 光电效应 二、内光电效应 PN结接入负载电阻，在接收入射辐射后，电阻上产生的电流为： 短路电流： 开路电压： 公式最终可简化为： 电流与入射辐射通量 成线性关系。 第2章 光电效应 二、内光电效应 丹倍（Dember）效应 在曝光区产生本征吸收出现高密度的电子与空穴载流子，而遮蔽区的载流子浓度很低，形成浓度差。引起载流子的扩散运动。由于电子的迁移率大于空穴的迁移率，因此，受照面积累了空穴，遮蔽区积累了电子，产生光生伏特现象。这种由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮蔽面之间的伏特现象称为丹倍效应。 ln 第2章 光电效应 二、内光电效应 光磁电效应 在半导体外加磁场，磁场的方向与光照方向垂直（图中B所示的方向），当半导体受光照射产生丹倍效应时，由于电子和空穴在磁场中运动会受到洛伦兹力的作用，使它们的运动轨迹发生偏转，空穴向半导体的上方偏转，电子偏向下方。结果在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上、下表面上产生伏特电压，称为光磁电场。这种现象被称为半导体的光磁电效应。 第2章 光电效应 二、内光电效应 光子牵引效应 光子牵引效应 当光子与半导体中的自由载流子作用时，光子把动量传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向作相对于晶格的运动。结果，在开路的情况下，半导体材料将产生电场，它阻止载流子的运动。这个现象被称为光子牵引效应。 利用光子牵引效应已成功地检测了低频大功率 激光器的输出功率。 激光器输出光的波长（10.6微米）远远超过激光器锗窗材料的本征吸收长波限，不可能产生光电子发射，但是，激光器锗窗的两端会产生伏特电压，迎光面带正电，出光面带负电。 * * * * * * * * * * * * * * * *