空间电荷区内形成内建电场.PPT

1995年，K. K. Ng在《半导体器件指南》一书中，定义了67种主要的半导体器件及其相关的110多个变种。然而，所有这些器件都只由以下的少数几种器件单元组成。 第七章 pn结 pn结的基本结构及重要概念 pn结零偏下的能带图 pn结空间电荷区的形成 pn结内建电势差和空间电荷区的内建电场 外加偏压下pn结空间电荷区的变化 反偏pn结电容——势垒电容的概念 突变结与缓变结 pn结是大多数半导体器件都会涉及到的结构。因而半导体器件的特性与工作过程同pn结的特性和原理密切相关。因而pn结对于半导体器件的学习是特殊重要的。在pn结基本结构和原理的学习过程中，我们会遇到一些非常基本和重要的概念，是以后的学习过程中会不断提到的，因而一定要理解这些概念的物理涵义和基本性质。 重点概念：空间电荷区、耗尽区、势垒区、内建电场、内建电势差、反偏、势垒电容等等 分析pn结模型的基础：载流子浓度、费米能级、电中性条件、载流子的漂移与扩散、双极输运方程 从物理到器件 §7.1 pn结的基本结构 PN结的制备方法：（1）合金法制备突变pn结；（2）扩散法制备缓变pn结；（3）外延、离子注入等； pn结的空间电荷区和内建电场 由于PN结两侧存在着电子和空穴的浓度梯度，因此电子和空穴将分别由N型区和P型区向对方区域扩散，同时在N型区中留下固定的带正电荷的施主离子，在P型区中则留下固定的带负电荷的受主离子。这个固定的正负电荷区即为空间电荷区，空间电荷区中将形成内建电场，内建电场引起载流子的漂移运动，载流子的漂移运动与载流子的扩散运动方向相反，最后二者达到平衡。 由于空间电荷区中的可动载流子基本处于耗尽状态，因此空间电荷区也称作耗尽区。  §7.2 零偏（热平衡）pn结 p型半导体与n型半导体的能带图 pn结的能带图 内建电势差 在达到平衡状态的PN结空间电荷区中存在一个内建电场，该电场在空间电荷区中的积分就形成了一个内建电势差，从能带图的角度来看在N型区和P型区之间建立了一个内建势垒，该内建势垒的高度为： 电场强度 空间电荷区宽度 热平衡状态下pn结处存在着空间电荷区和接触电势差 内建电场从n区空间电荷区边界指向p区空间电荷区，内建电场在p、n交界处最强 因为是热平衡状态，p区、n区及空间电荷区内具有统一的费米能级 空间电荷区内的漂移电流和扩散电流向平衡，无宏观电流。 p、n两侧的空间电荷总数量相等，对外部保持整体的电中性 空间电荷区内无（几乎）自由载流子、因而又称为耗尽区； 空间电荷区内形成内建电场，表现为电子的势垒，因而又称为势垒区 空间电荷区的宽度与掺杂浓度密切相关 * 半导体物理与器件 固体物理 量子力学 统计物理 能带理论 平衡半导体 载流子输运 非平衡半导体 pn结 MS结 异质结 双极晶体管 pn结二极管 肖特基二极管 欧姆接触 JFET、 MESFET、 MOSFET、 HEMT 若在同一半导体内部，一边是P 型，一边是N 型，则会在P 型区和N 型区的交界面附近形成pn 结，它的行为并不简单等价于一块P型半导体和N 型半导体的串联。这种结构具有特殊的性质：单向导电性。PN 结是许多重要半导体器件的核心。 N(x) x xj NA ND N(x) x xj NA ND n-Si SiO2 n-Si 杂质扩散 n-Si sub p-Si n-Si 浓度差 多子扩散 杂质离子形成空间电荷区 内建电场 阻止多子的进一步扩散 促进少子的漂移 动态平衡（零偏） pn结指p型半导体和n型半导体形成的界面，显然该界面实际为包括整个空间电荷区在内的空间区域。而空间电荷区之外的部分，则和独立的掺杂半导体性质相同，不属于pn结的区域。 pn Vs. pn结二极管?半导体物理：半导体器件 基本耗尽的意思是：载流子浓度和杂质浓度差别巨大（数量级的差别） 在热平衡pn结的任何区域（包括空间电荷区）；n0p0=ni2成立； Ec Ev EFi EF Ec Ev EFi EF 内建电势差维持着n区多子电子与p区少子电子之间以及p区多子空穴与n区少子空穴之间的平衡（扩散与漂移的平衡）。 由于空间电荷区是电子的势垒，因而空间电荷区（耗尽区）又称作势垒区 对于平衡状态的pn结我们有： 参照前边图中φFn、 φFp的定义，可以知道： 参照前边图中φFn、 φFp的定义，可以知道： 注意Nd、Na分别表示N区和P区内的有效施主掺杂浓度和有效受主掺杂浓度 接触电势差的大小直接和杂质浓度、本征载流子浓度、以及热电压（温度及分布）相关。 对照：费米能级和掺杂以及温度的关系 p n + - E -xp xn eNd eNa 内建电场由空间电荷区的电荷所产生，电场强度的大小和电荷密度的关系由泊松方程确定： 其中φ为电势，E为电场强度，ρ为电荷密度，εs为