5-MOS场效应管特性.pptVIP

集成电路设计基础;第五章 MOS 场效应管的特性;5.1 MOS场效应管5.1.1 MOS管伏安特性的推导;MOSFET的三个基本几何参数;MOSFET的三个基本几何参数;MOSFET的伏安特性:电容结构;非饱和时（沟道未夹断），在漏源电压Vds作用下，这些电荷Q将在?时间内通过沟道，因此有;MOSFET的伏安特性方程;*;MOSFET特性曲线;5.1.2 MOSFET电容的组成;MOS电容—SiO2和耗尽层介质电容;MOS电容—束缚电荷层厚度;MOS电容 —耗尽层电容;MOS电容—耗尽层电容特性;MOS电容—耗尽层电容特性(续);*;MOS电容—凹谷特性;MOS电容—凹谷特性测量;MOS电容?凹谷特性测量;5.1.3 MOS电容的计算;MOS电容的计算;MOS电容的计算;MOS电容的计算(续);MOS电容的计算(续);*;*;5.2 MOSFET的阈值电压VT;*;;Vox的计算;*;5.3 MOSFET的体效应;阈值电压随源极-衬底电压的变化;*;*;*;*;*;5.6 MOSFET尺寸按比例缩小(Scaling-down);MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响;MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响;栅长、阈值电压、与电源电压;VT的功能： 1) 在栅极下面的Si区域中形成反型层； 2) 克服 SiO2介质上的压降。 降低VT的措施： 1) 降低衬底中的杂质浓