Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process.pdf

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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process

工毯塑姒咿 doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2009．06．014 AI-Cu互连导线侧壁孑L洞形成机理及改进方法施海铭1，-，汪辉1，李化阳2，林俊毅2 (1．上海交通大学微电子学院，上海200240；2．上海宏力半导体制造有限公司蚀刻工程部，上海201203) 摘要：侧壁孔洞缺陷是当前AI．Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移，从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中，e相 Al，Cu在Al晶界聚集成大颗粒，并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致m被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生，从而减少电迁移，并且提高芯片的可靠性。关键词：AI．Cu互连；侧壁孔洞缺陷；0相舢，cu光刻胶清洗中图分类号：TN405．97文献标识码：A andSolutionofSidewallAttackDefect Principle in A1．CUInterconnectProcess Shi Huil，Li Huayan92，LingJunyi2 Haimin91一，Wang (1．School ofMicroelectronics，ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai200240，China；2．EtchingEngineering， GraceSemiconductor 201203，China) Shanghai ManufactureCorporation，Shanghai Abstract：SidewallattackiSoneofthemaindefectsinAI—Cuinterconnect defectwill process．This causeEM reducethe of PR 0 issue，and reliabilitydevice．DuringplasmastripingprocessphaseA12Cu forminthemetallinesurfacedueto and diffusionundercertain granule precipitaterapid temperature．Then of defectscomeinto because effect the of wetcleanwithsolvent．This being galvanicduringprocesspost-etch defectcanbeeliminated ofPR andwater ofsolvent．Then bycontrollingtemperaturestripprocess percentage EMissuecanbesolved，and of isalso reliabilitychip improved． words：AI-Cuinterconnect；sidewallattackdefect；0 Cu