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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process.pdfVIP

Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process.pdf

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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process

工毯塑姒咿 doi:10.3969/j.issn.1003—353x.2009.06.014 AI-Cu互连导线侧壁孑L洞形成机理及改进方法 施海铭1,-,汪辉1,李化阳2,林俊毅2 (1.上海交通大学微电子学院,上海200240;2.上海宏力半导体制造有限公司蚀刻工程部, 上海201203) 摘要:侧壁孔洞缺陷是当前AI.Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电 迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,e相 Al,Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致m被腐 蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含 量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。 关键词:AI.Cu互连;侧壁孔洞缺陷;0相舢,cu光刻胶清洗 中图分类号:TN405.97文献标识码:A andSolutionofSidewallAttackDefect Principle in A1.CUInterconnectProcess Shi Huil,Li Huayan92,LingJunyi2 Haimin91一,Wang (1.School ofMicroelectronics,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200240,China;2.EtchingEngineering, GraceSemiconductor 201203,China) Shanghai ManufactureCorporation,Shanghai Abstract:SidewallattackiSoneofthemaindefectsinAI—Cuinterconnect defectwill process.This causeEM reducethe of PR 0 issue,and reliabilitydevice.DuringplasmastripingprocessphaseA12Cu forminthemetallinesurfacedueto and diffusionundercertain granule precipitaterapid temperature.Then of defectscomeinto because effect the of wetcleanwithsolvent.This being galvanicduringprocesspost-etch defectcanbeeliminated ofPR andwater ofsolvent.Then bycontrollingtemperaturestripprocess percentage EMissuecanbesolved,and of isalso reliabilitychip improved. words:AI-Cuinterconnect;sidewallattackdefect;0 Cu

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