Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process.pdfVIP
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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法 Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process
工毯塑姒咿
doi:10.3969/j.issn.1003—353x.2009.06.014
AI-Cu互连导线侧壁孑L洞形成机理及改进方法
施海铭1,-,汪辉1,李化阳2,林俊毅2
(1.上海交通大学微电子学院,上海200240;2.上海宏力半导体制造有限公司蚀刻工程部,
上海201203)
摘要:侧壁孔洞缺陷是当前AI.Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电
迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,e相
Al,Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致m被腐
蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含
量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
关键词:AI.Cu互连;侧壁孔洞缺陷;0相舢,cu光刻胶清洗
中图分类号:TN405.97文献标识码:A
andSolutionofSidewallAttackDefect
Principle
in
A1.CUInterconnectProcess
Shi Huil,Li
Huayan92,LingJunyi2
Haimin91一,Wang
(1.School
ofMicroelectronics,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200240,China;2.EtchingEngineering,
GraceSemiconductor 201203,China)
Shanghai ManufactureCorporation,Shanghai
Abstract:SidewallattackiSoneofthemaindefectsinAI—Cuinterconnect defectwill
process.This
causeEM reducethe of PR 0
issue,and reliabilitydevice.DuringplasmastripingprocessphaseA12Cu
forminthemetallinesurfacedueto and diffusionundercertain
granule precipitaterapid temperature.Then
of
defectscomeinto because effect the of wetcleanwithsolvent.This
being galvanicduringprocesspost-etch
defectcanbeeliminated ofPR andwater ofsolvent.Then
bycontrollingtemperaturestripprocess percentage
EMissuecanbesolved,and of isalso
reliabilitychip improved.
words:AI-Cuinterconnect;sidewallattackdefect;0 Cu
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