MBE生长的InP DHBT的性能 Performance of an InP DHBT Grown by MBE.pdfVIP

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MBE生长的InP DHBT的性能 Performance of an InP DHBT Grown by MBE

第卷第期半导体学报 27 5 Vol. 27 No. 5 年月 9 2006 5 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCtORS May 2006 Performanceof an InP DHBT grown b MBEy 9 1 T 1 2 1 2 Su Shubing 9Liu xin u 9xu Anhuai 9Yu jin on 9@i Min 9 y y g g 1 1 Liu xunchun 9and wang Runmei ( 9 9 9 1 Instituteo Microelectronics chineseAcadem o Sciences bei in 100029 china f $ f j g ( 9 9 9 2 Shan hai Institute o Micros stem and In ormation Technolo chineseAcadem o Sciences Shan hai 200050 china g f $ f g$ $ f g C / Abstract We re ort the erformance of the first self-ali ned InP IngaAs double heterounction bi olar tran- P P g ] P ( roduced in China.the device has a