Mn掺杂ZnO材料的室温铁磁性研究进展 Research Advances of Room-temperature Ferromagnetic Mn-doped ZnO Composite.pdfVIP

综述 动态 评论 Mn 掺杂ZnO 材料的室温铁磁性研究进展 胡永刚 胡作启 陈 飞 华中科技大学 电子科学与技术系 湖北武汉 430074 摘 要 具有室温铁磁性的稀磁半导体是自旋电子学应用的基础 Mn 掺杂 ZnO 是制备室温铁磁性半导体的一种有 希望的材料 本文综述了Mn 掺杂ZnO 材料的室温铁磁性研究进展 并从理论和实验上说明了Mn 在ZnO 中有较高的溶 解度 单相的Zn Mn O 缺乏铁磁性 通过共掺或缺陷 能产生较多的空穴 更有利于产生室温铁磁性 1 x x 关键词 自旋电子学 稀磁半导体 ZnO 室温铁磁性 + 中图分类号 O482.52 3 文献标识码 A 文章编号 1001-3830(2007)01-00 19-04 Research Advances of Room-temperature Ferromagnetic Mn-doped ZnO Composite HU Yong-gang, HU Zuo-qi, CHEN Fei Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China Abstract: Diluted magnetic semiconductor with room-temperature ferromagnetism is the basement for spintronics applications. Mn-doped ZnO is a hopeful material to fabricate room-temperature ferromagnetic semi- conductors.This paper reviews the advancement of room-temperature ferromagnetism in the materials of Mn-doped ZnO. It has been illuminated from the theories and experiments that Mn has a relatively high solubility in ZnO, but ferromagnetism is absent for single phase Zn1 Mn O, and a lot of holes can be produced by co-doping or defects, x x which are favourable to resulting room-temperature ferromagnetism. Key words: spintronics; diluted magnetic semiconductor; ZnO; room-temperature ferromagnetism 1 引言 集成密度更高等[1] 为了成功地将电子自旋结合到微电子技术中 电子不仅有电荷 还有一个重要的属性 那就 去 需要解决电子自旋极化态的控制 自旋极化载 是自旋 随着对电子电荷和电子自旋性质研究的深