PECVD低功率沉积氮化硅薄膜研究 Research on the low-power silicon nitride film deposited by PECVD.pdfVIP

…，燎、蠢★慕撕一 电子测量技术 第35卷第5期 ELECTRONIC MEASUREMENTTECHNOLOGY2012年5月 PECVD低功率沉积氮化硅薄膜研究 解占壹1蔡爱玲1孙莱量2 (1．英利集团有限公司保定071051；2．河北大学电子信息工程学院保定071002) 摘要：为了减少太阳能电池氮化硅薄膜生产工艺中的缺陷、提高太阳能电池的转换效率，采用等离子增强化学气相 沉积法在射频功率较低的条件下，对N型单晶硅片表面进行氮化硅沉积，获得与高射频功率沉积时相同膜厚和折射 率的氮化硅膜，通过试验分析了低功率沉积工艺对电池电参数、对膜厚均匀性的影响。结果表明，在低功率沉积工艺 条件下，有助于改善膜厚均匀性．使膜厚不均匀度由12％下降到6％，太阳能电池转换效率提高了o．05个百分点。 关键词：太阳能电池IPEcVD；射频功率}氮化硅 中围分类号：TK51文献标识码：A Researchonthe nitride si¨con fiIm PECVD low。power depositedby Xje Cai Sun ZhanyilAil；n91 Rongxia2 (1．Yin91iGroupcompany 071051， LilⅡited．·B丑oding ofEl础ronicandln壬orrnation 2．college Engineering。University，Bao曲蟮071002) Abstr卸t：Inordertoreducethedefectsofthes01arcellsiljconnitridefilm the duringproduction process，improve conversion ofsolar a enhancedchemical inRF underconditionsof ef丘ciency ce“s，usingplasma vapordepositionpower low，onN siliconwafersurfaceofsiliconnitridejs with RF isthesame type deposited，obtainedhigh power deposjtion asthefilmthicknessandrefractiwindexofsiliconnitride the ofthem啪brane，low throughexperimentanalysis power of ofthefilmthicknesseffecLTheresultsshowed 10w depositionprocessbatteryparameters，theuniformity that，in wou】dbe to thefilmthick