Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示 Light-Assisted Wet Etching of Dislocations in GaN Grown on Silicon.pdfVIP

第27卷第6期 半导体学报 V01．27No．6 2006年6月 CHINESEJoURNAL0FSEMICONDUCToRS June。2006 Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示* 赵丽伟1 刘彩池1’+ 滕晓云1 郝秋艳1 朱军山1 孙世龙1 王海云1 徐岳生1 冯玉春2 郭宝平2 (1河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津300130) (2深圳大学光电子学研究所，深圳518060) 摘要：采用1000W卤钨灯作为光源，对oaN外延膜在KoH溶液中进行化学腐蚀，以显示晶体位错．采用扫描电 子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌，得到了清晰的腐蚀图形．提出了腐蚀机理，光照激发位错处产 生电子．空穴对，加速位错处的腐蚀速率．GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头)．优化了KoH溶液的腐蚀 条件． 关键词：GaN；湿法化学腐蚀；六角腐蚀坑 PACC：6170J；6855；7280E