Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响 Influence of Nonparabolicity Rate in Si Band on Carrier Transport Properties in MOSFET.pdfVIP

器件制造乌应冈 M皿叫．劬Ⅱi唱maApp蛐ofDcvi∞ Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响 李海霞，毛凌锋 (苏州大学电子信息学院，江苏苏州215021) 摘要：随着器件尺寸的进一步减小，Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子 输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上，研究了非抛物线因子对沟道 电子输运的影响。研究表明，非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大，而对大尺寸器件输 运电流的影响不明显，这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的 影响。 关键词：深亚微米金属．氧化物半导体场效应晶体管；非抛物线因子；全能带蒙特卡罗；速 度过冲 中图分类号：TN386．1文献标识码：A Ratein Bandon