四极磁场下大尺寸直拉硅单晶生长三维数值模拟 - 材料热处理学报.PDFVIP

第３６卷　 第９期 材　 料　 热　 处　 理　 学　 报 Ｖｏｌ ． ３６　 Ｎｏ． ９ ２０１５年　 ９月 ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＦ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＡＮＤ ＨＥＡＴ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ ２０１５ 四极磁场下大尺寸直拉硅单晶生长三维数值模拟 张　 晶，　 刘　 丁，　 赵　 跃，　 惠一龙，　 姜　 雷 （西安理工大学国家联合晶体生长设备及系统集成工程研究中心， 陕西 西安　 ７１００４８） 摘　 要：在大尺寸直拉硅单晶生长过程中，针对水平磁场单方向磁力线分布引起的熔体温度分布非轴对称特征，提出了一种双 磁力线结构的磁场———四极磁场。 为准确描述非轴对称磁场作用下晶体生长过程，采用三维数值模拟方法，建立了四极磁场下 二维／ 三维混合热场模型的边界条件，并将三维数值模拟结果与水平磁场作以对比。 结果表明，四极磁场降低了熔体内部温度的 非轴对称性；增加磁感应强度有利于增加熔体自由表面附近温度分布的均匀性，但对固液界面形状调节作用不明显；强磁场环境 下，提高晶体旋转速度有利于改变固液界面凹凸程度，改善固液界面形态的非轴对称性。 关键词：直拉硅单晶；　 非轴对称性；　 四极磁场；　 数值模拟 中图分类号：ＴＧ１３９８　 　 　 文献标志码：Ａ　 　 　 文章编号：１００９⁃６２６４（２０１５）０９⁃０２３８⁃０６ Ｔｈｒｅｅ⁃ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｌａｒｇｅ ｄｉａｍｅｔｅｒ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇｒｏｗｔｈ ｉｎ ａ ｑｕａｄ⁃ｐｏｌｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ＺＨＡＮＧＪｉｎｇ，　 ＬＩＵ Ｄｉｎｇ，　 ＺＨＡＯ Ｙｕｅ，　 ＨＵＩ Ｙｉ⁃ｌｏｎｇ，　 ＪＩＡＮＧ Ｌｅｉ （Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｔｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ａｎｄ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｘｉａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉａｎ７１００４８，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ ｌａｒｇｅ ｄｉａｍｅｔｅｒ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｐｒｏｃｅｓｓ，ｆｏｒ ｔｈｅ ｎｏｎ ａｘｉａｌ ｓｙｍｍｅｔｒｉｃｆｅａｔｕｒｅｓ ｉｎ ｍｅｌｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃａｕｓｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｍａｇｎｅｔｉｃｆｌｕｘ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ，ａ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ｗｉｔｈ ｄｕａｌ ｆｌｕｘ ｌｉｎｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｔｈｅ ｑｕａｄ⁃ｐｏｌｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ． Ａ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｉｓ ｕｓｅｄ ｔｏ ｄｅｓｃｒｉｂｅ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｐｒｏｃｅｓｓ ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｎｏｎ ａｘｉａｌ ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄ． Ｔｈｅｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｆ２Ｄ／ ３Ｄｈｙｂｒｉｄｈｏｔｚｏｎｅｍｏｄｅｌｗｉｔｈｑｕａｄ⁃ｐｏｌｅｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄａｒｅｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄａｎｄｔｈｅ ３Ｄｎｕｍｅｒｉｃａｌｒｅｓｕｌｔｓａｒｅｃｏｍｐａｒｅｄｗｉｔｈｔｈｅｂｉ⁃ｐｏｌｅｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄｈｏｔ ｚｏｎｅ． Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｓｔｈａｔ ｉｎｑｕａｄ⁃ｐｏｌｅｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄ， ｔｈｅ ｎｏｎ⁃ａｘｉａｌ ｓｙｍｍｅｔｒｙ ｏｆ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｌｔ ｉｓ ｒｅｄｕｃｅｄ； Ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｔｈｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｌｕｘ ｄｅｎｓｉｔｙ ｈｅｌｐｓ ｔｏ ｉｍｐｒｏｖｅ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙｎｅａｒｔｈｅｆｒｅｅｓｕｒｆａｃｅｏｆｔｈｅｍｅｌｔ，ｂｕｔｉｍｐｒｏｖ