基于数值模拟的太阳能直拉硅单晶热场降耗研究.PDFVIP

第45 卷 第11 期 稀有金属材料与工程 Vol.45, No.11 2016 年 11 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING November 2016 基于数值模拟的太阳能直拉硅单晶热场降耗研究 邓先亮，任忠鸣，邓 康，吴 亮 (上海大学，上海 200072) 摘 要：通过计算机数值模拟仿真技术分析了TDR-95A-ZJS 型22 英寸太阳能直拉硅单晶热场结构中影响能耗的主要因 素。基于模拟结果提出了通过改变部分热场结构及保温毡布局等优化措施可有效降低原有热场功耗。实际生产实验表 明，优化后的热场在保证晶体生长原有质量前提下较原有热场节能29% 。 关键词：数值模拟；直拉硅单晶；热场；功耗 中图法分类号：TN304.1+ 1 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2016) 11-2907-05 自进入21 世纪以来随着半导体和光伏产业的飞速 晶体生长工艺参数为依据，采用有限元法对晶体生长过 发展，对单晶硅片的需求量日益增加。目前直拉法 程中的传热和传质过程进行全局性数值模拟，可以精确 [4] （Czochralski 法)是生产单晶硅常用的方法之一，其显 预测整个生长炉内的全局温度分布 、固液界面的形 著优势是可生产出高质量、大直径的半导体级或太阳能 状、熔体/气流的流动，并能对晶体生长过程的各种杂 级单晶硅片，主要用来制作LSI 、晶体管、传感器等半 质及掺杂元素、晶体生长过程的热应力、晶体生长点缺 [1] [5] 导体器件及硅基高效太阳能电池 。 陷等进行计算与分析 。其采用的基本控制方程如下： 硅单晶炉的热场主要由导流筒、各种石墨件、加热 DT c (KT) W （1） [2] Dt 器及保温材料等成套部件构成 。直拉硅单晶的生长过 程中首先要将多晶硅原料装于石英坩埚内并在 (u) 0 （2 ） 1420 ℃以上的温度下熔融，温度稳定到目标温度后将 T  （u )u p ((  )(u  u))  确定晶向的单晶硅籽晶与熔体熔接后引晶，再经过放 0 T （3 ）   (T T ) g  J  B 肩、转 肩、等径、收尾、冷却等工序完成单晶硅的生 0 T 0