40第四章 线性系统的根轨迹法.pptVIP

第四章 线性系统的根轨迹法 反馈系统的稳定性由系统的闭环极点确定。 4-1 根轨迹法的基本概念 参数变化改变闭环极点的简单例子如下： 2. 根轨迹与系统性能 (3) 动态性能：从根轨迹上的共轭复数极点，能 例 已知负反馈系统开环传递函数 根轨迹方程的特点 复平面 S 上的一点处于根轨迹上， 必须满 4-2 根轨迹绘制的基本规则（180O） GZ2： 根轨迹的分支数、对称性和连续性；分支 GZ4： 根轨迹在实轴上的分布；实轴上的一点， 例4-1 负反馈系统的开环传递函数为 GZ6： 根轨迹的起始角和终止角（开环极点的出 解：根轨迹方程为 例4-3 负反馈系统的开环传递函数为 GZ7：根轨迹与虚轴的交点；即虚轴上的点jω， *实轴上的根轨迹(-3，0)； GZ8：闭环极点之和；当 n - m ≥ 2 时，闭环极点 (2) 已知部分闭环极点 s1,2 = ± 2.2886，计算另外2 4-3 广义根轨迹 系统Ⅱ和Ⅲ的开环传递函数相同， 例4-7 负反馈系统的开环传递函数为 当 0.25 K≤1 时，也有一对共轭复数开环零 2. 附加开环零点的作用 零度根轨迹与 180 度根轨迹仅仅是相角条件 例4-8 正反馈系统的开环传递函数为 *起始角 4-4 系统性能的分析 2. 系统性能的定性分析 补充例 根轨迹方程为 *起始角和终止角 * 4-1 根轨迹法的基本概念 4-3 广义根轨迹 4-2 根轨迹绘制的基本规则 4-4 系统性能分析 勘误与作业 研究系统参数变化对闭环系统特性的影响，是分 析系统和设计控制器的重要内容。 的影响上。 很困难，且不易理解。图解法是一种方便的近似 对于高阶系统，用解析方法说明这种影响， 方法。 参数变化对系统的作用，体现在对闭环极点 1. 根轨迹概念 根轨迹法： 根据参数变化 0 →∞，研究系统 数变化时图解特征方程。 器提供依据。 实轴的交点等，根轨迹要准确； 闭环极点变化轨迹的一种图解方法。 图，可以确定合适的系统参数，为设计控制 近似作图； 重要区域，如与虚轴的交点、与 即在参 依据根轨迹 闭环系统的传递函数和特征方程依次为 闭环极点为 K 0→0.5 s1 0→-1 _ R(s) C(s) s2 -2→-1 K 0.5→∞ Im[s1] 0→∞ Im[s2] 0→-∞ 0 -2 - 1 ×开环极点，○ 开环零点。 以图4-2为例： (1) 稳定性： 根轨迹始终都处于 S 平面左半部，表明无论参 (2) 稳态性能： 在研究开环增益对闭环极点作用 时，据在原点处的开环极点个数就可以知道 图4-2 0 -2 - 1 数取多大的值，闭环系统总 是稳定的； 若在参数的某些 取值范围，有根轨迹段(闭环极点)处于S平面 右半部，则闭环系统在该参数范围不稳定。 根轨迹与虚轴的交点处的参数值，为参 数临界值。 系统的误差型别。 够知道该振荡模态的阻尼系数，对高阶系统 3. 根轨迹方程 迹图的标准形式的特征方程。 的动态性能有粗略估计。 根轨迹方程实际上是便于应用规则绘制根轨 例 已知负反馈系统开环传递函数 特征方程 根轨迹方程 例 已知负反馈系统开环传递函数 特征方程 根轨迹方程 特征方程 根轨迹方程 (1) 根轨迹方程( 180°) 等式右边为-1 ( 0°,+1)； (3) 变化的参数以规范形式 k 出现在分子上； 幅值条件 相角条件 (2) 分母的阶次大于等于分子的阶次，n ≥ m； 只有根轨迹上的点 足根轨迹方程； 绘制根轨迹的主要依据是相角条件。 4. 根轨迹法中常用术语 幅值等于1，由于 k 是变化的， 任何点s都能满足幅值条件； s才能满足相角条件，相角等于 180o ( 或0o )。 (2) 根轨迹的起点和终点；（起点为开环极点， (3) 根轨迹的分支数；（等于开环极点的个数， (1) 根轨迹； 终点为开环零点或无穷远处） (4) 根轨迹的分离点与汇合点。（闭环重极点， 重合点） 两条根轨迹不相交） 遵循一些作图规则，能够方便地绘制近似的 根轨迹图形。根据系统的方框图，先列写系统的 方程，最后，遵循规则，概略绘制根轨迹图。 1. 绘制根轨迹的基本规则 点终止于开环零点或无穷远处； 特征方程，再根据变化的参数写出规范的根轨迹 GZ1： 根轨迹的起点和终点；根轨迹始于开环极 认真绘制一半根轨迹，另一半对称画出。 CZ3： 根轨迹的渐近线(与实轴的交点和夹角)； 根轨迹关于实轴 利用对称性，只需 在开环极点数n大于开环零点数m时，有n-m 支所渐近的直线。这些渐近线与实轴相交于 条渐近线，表示终止于无穷远处的根轨迹分 同一点，与实轴的夹角满足相角条件。 数与开环极点的个数相等； 对称； 根轨迹是连续的。 GZ5： 根轨迹与实轴的交点；交点为重