高性能顶栅结构有机薄膜晶体管-上海高等研究院.PDF

第 卷 第 期 ， ２７ 　 ３ 液 晶 与 显 示 Ｖｏｌ．２７ Ｎｏ．３ 　 　 　 　 年 月 ， ２０１２ ６ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒ ｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓ ｌａｓ Ｊｕｎ．２０１２ 　 　 　 ｑ 　 ｙ 　 　 ｐ ｙ 文章编号： （ ） １００７２７８０２０１２０３０３１３０５ － － － 高性能顶栅结构有机薄膜晶体管 ， ， ， ， ， ， ， 洪 飞 谭 莉 朱棋锋 向长江 韩学斌 张其国 郭晓东 申剑锋 　 　 （ ， ， ： ） 中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心 上海 ２０１２１０ Ｅｍａｉｌ ｈｏｎ ｆ ｃａｓａｉｌ．ｃｏｍ 　 － ｇ＠ ： （ ） （ ） ， 摘 要 采用六联苯 ６Ｐ 和氧钒酞菁 ＶＯＰｃ 作为有源层材料 利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管 　 － ｐ （ ）。 （ ） （ ） ， ＯＴＦＴ 在相同的工艺条件下制备了顶栅结构 ｔｏ ａｔｅ 和底栅结构 ｂｏｔｔｏｍ ａｔｅ 两种器件构型 发现两 － － ｐｇ ｇ ， 。 种不同结构的 ＯＴＦＴ器件特性存在较大的差异 ｔｏ ａｔｅＯＴＦＴ 的迁移率比ｂｏｔｔｏｍ ａｔｅＯＴＦＴ 高很多 在 － 　 － 　 ｐｇ ｇ ２ ， ／ · 。 顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数 迁移率达到 １．６ｃｍ Ｖ ｓ 研究了弱外延生长技术应 ， 。 用在两种不同器件构型中的差异 并解释了顶栅结构 ＯＴＦＴ迁移率较高的原因 ： ； ； ； 关 键 词 有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁 　 　 中图分类号： 文献标识码： ： ／ ＴＮ３２１．５ Ａ ＤＯＩ １０．３７８８ＹＪＹ