高效能之掺铬光纤放大器之二前言研究目的.PDF

高效能之掺鉻光纖放大器之二 前言 近年光通訊急速發展，寬頻雷射光源應用於光傳輸中的需求增加。而摻鉻釔 鋁石榴石(Cr4+ :YAG)晶體光纖的超寬頻特性，使其具有不可或缺的重要性。目前以 雷射加熱基座生長法 (Laser-heated pedestal growth)已能產生毫瓦級的超寬頻自發 輻射 （Amplified spontaneous emission ）光源。但Cr4+ :YAG晶體光纖在雷射加熱基 座生長法的過程中，隨著生長次數及時間的增加，使得Cr O濃度及Cr4+離子濃度 2 3 大幅下降，而Cr4+ :YAG晶纖 元件之發光效率與Cr4+離子濃度成正比，所以有必要提 升Cr4+離子濃度，以進一步達到高增益。 本研究在於探討Cr4+ :YAG作為晶體光纖雷射的增益介質。在Cr4+ :YAG的周邊 利用電子鎗將CaO 蒸鍍於晶體，再經雷射加熱基座生長法生長成雙纖衣晶體光纖 （Cr4+ :YAG double-clad crystal fiber ），以增加光纖中CaO及Cr 離子之電荷補償作 用，進而提升 Cr4+離子的濃度。本人已成功提升四價鉻離子濃度於雙纖衣晶體光纖 放大器之纖心91.87% 。 在Cr4+ :YAG的周邊蒸 鍍上更濃的CaO ，再將此晶體光纖置入中空石英毛細管 包覆，拉成雙層纖衣晶體光纖，因 CaO在長晶的分布與Cr離子的基本轉換方程式所 造成的應力，也在此論文中被分析 。 關鍵詞：摻雜（ doping ），雷射加熱基座生長法（laser heated pedestal growth ）, 摻 鉻釔鋁石榴石晶體光纖(Cr4+ :YAG crystal fiber) ，自發輻射放大 （Amplified spontaneous emission ） 研究目的 本計劃旨在研發高效能超寬頻掺鉻光纖放大器（Chromium-doped fiber amplifier, CDFA ）。摻四價鉻釔鋁石榴石晶體光纖( Cr4+ :Y Al O crystal fiber)擁有 3 5 12 近紅外光的螢光頻譜，波長範圍涵蓋從 1.2 到1.6微米，適合於發展可調波長固態 雷射與光纖通訊的自發輻射光源及光放大器。跟現有掺鉺光纖放大器（ EDFA ）增 益波段使用範圍，C-band 1530-1560 nm （30 nm ）及 L-band 1570-1610 nm （40 nm ）， 共70 nm 頻寬比較，CDFA 比EDFA 頻寬多 5倍多。且掺鉻光纖放大器的頻寬範圍 剛好涵蓋了整個低損耗的通訊波段。利用此特性來發展超寬頻雷射光源、放大器 等元件，使其應用於光纖通訊，將可大大提升多波長/ 多通道的傳輸發展，如圖一。 O E S C L U 40 1.0 Silica S i l Tellurite i