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第一章　　半导体器件基础 半导体器件是用半导体材料制成 的，它是 电子 电路 中的关键 性元件 ，最简单 的半导体器件有晶体二极管、晶体三极管 （简称 晶体管或三极管 ）和场效应管等，它们是构成集成 电路 的基本单 元 。本章从半导体 的基本知识入手 ，重点介绍半导体器件 的基本 结构、工作原理和特性参数等 ，为学习电子技术类课程打下坚实 的基础。 晶体二极管 结及其单 向导 电性 半导体的导电特性 ）本征半导体 。导 电能力介于导体与绝缘体之间的物质称 为半导体，纯净的、晶格结构完全对称的半导体称为本征半导体。 在半导体器件 中最常用 的是硅与锗两种材料 ，它们都是 四价元 素，原子结构中最外层轨道上有四个 电子，称为价 电子 。以硅元 素为例 ，在纯净的晶体硅 中，每个硅原子都被邻近的四个硅原子 所包 围，组成共价键结构，如图 所示 。图中表示 的是二维结 构，实际上半导体晶体结构是三维的。 在热力学零度 （ ）时，价 电子没有能力挣脱共价键 的束缚，晶体中不会产生 自由电子 ，半导体不能导电。当温度升 高或受到外界激发 （如光照 ）时，共价键 中的一部分 电子就会挣 脱共价键 的束缚而成为 自由电子，同时留下相 同数量 的带正 电的 空位，如图 所示，这些空位 叫做空穴 ，这种在本征半导体 中 产生 电子 空穴对 的现象称为本征激发。 图 硅晶体的共价键结构示意图 图 本征激发产生空穴 电子对 空穴很容 易被从邻近共价键 中跳 出来 的价 电子填补上 ，于 是在邻近共价键 中又 出现新的空位 ，以后其它价 电子又可转移到 这个新的空位，这样就使共价键 中出现一定的电荷迁移，如图 所示 。为 了区别 自由电子 的运动 ，就把价 电子 的运动视为空穴运 动 （方 向相反 ），认为空穴是一种带正 电荷 的导电粒子 ，即载流 子 。不过 ，这种载流子 的运动是人们根据共价键 中出现空位 的移 动而虚拟 出来的，它实际上是邻近共价键 中的价 电子填补空位而 形成 的。如此， 在半导体中就存在着两种载流子 ：带负电荷的 自 由电子 （简称 电子 ）和带正 电荷 的空穴 。 图 电子与空穴 的移动 在本征激发下 ， 自由电子和空穴总是成对 出现 的，半导体 中 的 自 由 电子 浓 度 等 于 空 穴 浓 度 。值 得 注 意 的是 ，在 常 温 ）下，纯净半导体硅 中载流子数 目很少 ，但与温度有 着密切 的关系 ，大约温度每升高 ，硅晶体中电子浓度约增加 一倍 ；温度每升高 ，锗晶体中电子浓度约增加一倍。可见， 温度是影响半导体性能的一个重要因素。 ）杂质半导体 。本征半导体 的导 电能力是很弱 的，但是 在本征半导体中掺入微量 的其它元素，就会使半导体 的导 电性能 大大增强 。这些微量元素就称为杂质 ，而掺入杂质的半导体称为 杂质半导体，有空穴 （ ）型和 电子 （ ）型两大类 。 在硅 （或锗 ）的晶体 内掺入少量三价元素杂质 ，如硼 （或 铟 ）等 ，因硼原子只有三个价 电子 ，它与硅原子组成共价键时， 因缺少一个 电子 ，在 晶体 中便产生一个空位 ，当相邻共价键上 的 电子受到热激发或在其它外部能量作用时，就有可能填补这个空 位 ，使硼原子成为不能移动 的负离子 ，而原来 的共价键则因缺少 一个 电子 ，形成空穴 ，如 图 所示 。因为硼原子在硅晶体 中接 受 电子 ，故称为受主杂质或 型杂质 。在这种杂质半导体 中， 空穴数远大于 自由电子数 ，半导体 的导 电能力取决于空穴数 目的 多少 ，我们就称之为空穴型或 型半导体 。其 中的空穴称为多 数载流子 ， 自由